时间：2025/12/24 9:44:23
阅读：24
TF030N03N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于低电压应用场合，广泛用于负载开关、电源管理、电机驱动以及便携式电子设备中。其封装形式为 SOT-23，具有小体积、高效率和低导通电阻的特点。
这款 MOSFET 通过优化设计，能够实现高效的电流传输，并且在低压工作环境下表现优异。它具有出色的热稳定性和可靠性，是现代电子设计中的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
持续漏极电流(Id)：1.4A
导通电阻(Rds(on))：0.17Ω（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗(Ptot)：420mW
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
1. 极低的导通电阻功率损耗，提升效率。
2. 小型封装 SOT-23 节省电路板空间，适合紧凑型设计。
3. 高电流能力（高达 1.4A），满足多种应用需求。
4. 工作电压范围宽（最大 Vds 为 30V），适用于多种低压应用场景。
5. 栅极阈值电压较低，易于用微控制器或逻辑电平直接驱动。
6. 出色的热稳定性，在高温环境下也能保持良好性能。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 负载开关：用于手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。
2. 电源管理：在 DC/DC 转换器、线性稳压器等电路中作为开关元件。
3. 电机驱动：小型直流电机或步进电机的驱动控制。
4. 电池保护：防止过流、短路等情况发生。
5. 开关电源：在初级侧或次级侧作为开关元件使用。
6. 照明系统：LED 驱动电路中的开关或调节元件。
1. AO3400：相似规格的 N 沟道 MOSFET，导通电阻更低。
2. FDN340P：同为 SOT-23 封装，但最大漏源电压稍高。
3. BSS138：适合低电流应用的 N 沟道 MOSFET。
4. SI2302DS：更高电流能力的替代型号。
5. IRLML6402：适用于更高性能需求的应用场景。
