时间：2025/5/23 4:29:39
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TF015N10TG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 Trench 工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够提供出色的散热性能和电流承载能力。
该型号主要针对中等功率应用设计，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：8.5mΩ（典型值）
栅极电荷：25nC（典型值）
输入电容：1900pF（典型值）
开关时间：ton=27ns，toff=16ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻：TF015N10TG 的典型导通电阻仅为 8.5mΩ，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力：支持高达 15A 的连续漏极电流，适用于大电流应用。
3. 快速开关特性：具备快速的开启和关断时间（ton=27ns 和 toff=16ns），适合高频开关电路。
4. 稳定性强：能够在宽温度范围内可靠工作（-55℃ 至 +175℃），适应各种环境条件。
5. 小型化设计：TO-263 封装体积较小，同时提供优秀的散热性能，简化 PCB 布局设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
IRFZ44N, FDP15N10, STP15NF10
