时间：2025/7/4 1:35:36
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TEVC15R0V12D1X 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源转换场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。其封装形式紧凑，适合用于空间受限的设计环境。
这款器件基于先进的制程技术制造，适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域的高效能需求场合。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：38nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless
TEVC15R0V12D1X 的设计重点在于提供卓越的电气性能，同时兼顾可靠性和散热能力。以下是其主要特性：
1. 极低的导通电阻确保在高电流条件下减少功耗损失。
2. 快速开关速度优化了动态性能，并减少了开关损耗。
3. 高温操作能力使其能够在恶劣环境下保持稳定运行。
4. 紧凑型无引脚封装有效节省了PCB空间，并增强了热传导效率。
5. 内置ESD保护功能提高了器件抗静电能力，增加了使用寿命。
6. 符合RoHS标准，环保且支持表面贴装工艺（SMT）。
该芯片广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景中，具体包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. 电动工具及家电驱动中的电机控制器。
3. DC-DC转换器与PFC（功率因数校正）模块。
4. 太阳能逆变器内的功率级切换元件。
5. 汽车电子系统中的负载开关和电池管理单元。
IRFP260N, FDP18N10E, BUK7Y1R2-100E
