时间：2025/7/1 18:02:06
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TEVC10R0V3B1X 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，广泛应用于高频电源转换、工业电源和通信设备中。该芯片通过优化设计实现了高效率和低损耗，同时支持高频工作环境下的快速切换。
这款芯片具有出色的导通电阻特性，能够显著降低功率损耗，并且封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景。
额定电压：100 V
额定电流：3 A
导通电阻：2.4 mΩ
栅极电荷：15 nC
最大工作温度：175 °C
封装形式：DFN8
开关频率范围：高达 5 MHz
TEVC10R0V3B1X 具备以下显著特点：
1. 基于先进的 GaN 技术，提供卓越的功率密度和效率表现。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷，可有效减少传导和开关损耗。
4. 工作温度范围宽广，能够在高温环境下稳定运行。
5. 小型化的封装设计，简化了 PCB 布局并提高了系统的整体集成度。
6. 内置保护功能（如过流保护和短路保护），确保芯片在异常情况下的可靠性。
TEVC10R0V3B1X 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的高频 DC-DC 转换器。
2. 快速充电器和适配器，提供高效的功率传输。
3. 工业级电机驱动和控制电路。
4. 电信和网络设备中的电源模块。
5. LED 驱动器和其他对效率要求较高的功率转换系统。
TGV10R0V3B1X, EPC2016C
