时间：2025/7/30 17:44:02
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TEV650K 是东芝（Toshiba）生产的一款功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型。该器件主要用于高功率应用，如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能功率转换的电子系统中。TEV650K 具备较高的电流和电压承受能力，适用于需要稳定性和高可靠性的应用场景。该晶体管采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够有效降低在高功率运行时的温度上升。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：650A
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约2.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
功率耗散：200W（最大值）
TEV650K MOSFET 采用先进的沟槽栅极技术，提高了导通性能并降低了导通电阻。这种结构设计有助于减少导通损耗，从而提升整体效率。此外，该器件具备高雪崩耐受能力，能够在过载或短路情况下保持稳定工作，避免器件损坏。
由于其低导通电阻特性，TEV650K 在大电流应用中表现出色，能有效降低功率损耗，提高能效。同时，该晶体管具备快速开关能力，适用于高频开关电源和高效率转换器。
TEV650K 的 TO-220 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，使其适用于各种工业和汽车电子系统。该封装形式便于安装在散热片上，以增强散热性能。
该器件还具有高可靠性和长寿命，适合在恶劣工作环境下使用。其结构设计优化了热阻，确保在高功率负载下仍能保持较低的温升，延长了使用寿命。
TEV650K 主要用于高功率电子设备中，如高功率开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。其高电流承受能力和低导通电阻使其非常适合用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、工业电机控制以及各种高效率电源管理系统。
此外，TEV650K 还广泛应用于服务器电源、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）等对稳定性和可靠性要求较高的场合。由于其具备良好的热管理能力，该器件在高温环境下仍能保持稳定运行。
TK650E08K、TK650E10K、SiHP0650ED、IRFB4110
