时间：2025/12/24 13:27:15
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TESDN3V31BD82 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻和高切换频率的特点，能够显著提升效率并减少功率损耗。
该型号采用先进的制造工艺，确保了其在高电流应用中的稳定性与可靠性。此外，它还具备出色的热性能和耐受性，使其能够在严苛的工作环境下保持正常运行。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：1.9mΩ (在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot)：75W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高切换速度，适合高频应用，例如 DC-DC 转换器和开关电源。
3. 具有良好的雪崩能力，增强了器件在过载或短路情况下的鲁棒性。
4. 提供优异的热性能，可有效散热，从而支持长时间稳定工作。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，适用于现代电子设计需求。
6. 封装形式坚固耐用，便于安装与散热设计集成。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
3. LED 照明系统中的恒流或调光控制。
4. 电池管理系统(BMS) 中的保护和切换功能。
5. 通信设备中的负载切换和信号调节。
6. 太阳能逆变器和其他绿色能源相关产品中的核心功率转换组件。
IRFZ44N, AO3400A, FDP5500, BUK7Y2R8-40E, STP16NF06L
