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TESDN3V31BD32 发布时间 时间:2025/6/24 5:04:50 查看 阅读:4

TESDN3V31BD32是一款基于硅技术设计的高效整流二极管,主要用于低压降和高电流应用场合。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的正向电压特性和反向恢复时间,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  这款二极管广泛适用于电源适配器、开关电源(SMPS)、电池充电器以及其他电力转换设备中,以实现高效的电能管理和保护功能。

参数

最大重复峰值反向电压:30V
  最大平均正向电流:32A
  典型正向压降:0.45V
  最大反向恢复时间:35ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-264

特性

TESDN3V31BD32具备低正向电压降(VF),从而减少了导通时的能量损耗。同时,其快速的反向恢复时间(trr)确保了在高频开关应用中的卓越性能。
  此外,该二极管能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行,并且采用了坚固耐用的TO-264封装,提供了良好的散热性能和机械强度。
  这种组合使得TESDN3V31BD32非常适合需要高效能与高可靠性的电力电子设计。

应用

TESDN3V31BD32主要应用于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 逆变器
  - 电机驱动电路
  - 不间断电源(UPS)
  - 通信电源
  - 充电器模块
  凭借其高电流处理能力和低损耗特点,该器件成为众多高压和大功率应用场景的理想选择。

替代型号

MUR160T3G
  STTH1R00H3
  BYW84-200
  FDP065N10A

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