TESDN3V31BD32是一款基于硅技术设计的高效整流二极管,主要用于低压降和高电流应用场合。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的正向电压特性和反向恢复时间,能够显著降低功耗并提高系统效率。
这款二极管广泛适用于电源适配器、开关电源(SMPS)、电池充电器以及其他电力转换设备中,以实现高效的电能管理和保护功能。
最大重复峰值反向电压:30V
最大平均正向电流:32A
典型正向压降:0.45V
最大反向恢复时间:35ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-264
TESDN3V31BD32具备低正向电压降(VF),从而减少了导通时的能量损耗。同时,其快速的反向恢复时间(trr)确保了在高频开关应用中的卓越性能。
此外,该二极管能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行,并且采用了坚固耐用的TO-264封装,提供了良好的散热性能和机械强度。
这种组合使得TESDN3V31BD32非常适合需要高效能与高可靠性的电力电子设计。
TESDN3V31BD32主要应用于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)
- 逆变器
- 电机驱动电路
- 不间断电源(UPS)
- 通信电源
- 充电器模块
凭借其高电流处理能力和低损耗特点,该器件成为众多高压和大功率应用场景的理想选择。
MUR160T3G
STTH1R00H3
BYW84-200
FDP065N10A