时间：2025/6/21 5:51:29
阅读：3
TESDN361BD32 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
其封装形式为 TO-252(DPAK)，能够提供良好的散热性能，并且在多种工作条件下表现出优异的稳定性和耐用性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：47nC
总电容：1020pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用需求。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗并改善动态性能。
4. 强大的雪崩能力，提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 小尺寸封装设计，节省PCB空间的同时保持出色的热表现。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端和低端开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动器中的功率级元件。
5. 各种工业设备及消费类电子产品中的功率控制模块。
6. 充电器、适配器以及其他便携式设备的功率管理方案。
IRF3205
STP36NF06L
FDP3701
IXFN36N06T2
