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TESDN151AD32 发布时间 时间:2025/7/1 17:40:07 查看 阅读:4

TESDN151AD32 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。
  其设计主要针对需要高效能和快速开关的应用场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器以及负载开关等。此外,该型号具备出色的抗静电能力,有助于提高系统的可靠性和稳定性。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源电压(Vdss):60V
  连续漏电流(Id):48A
  栅极电荷(Qg):28nC
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  封装形式:TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  功耗:240W

特性

TESDN151AD32 提供了非常低的导通电阻(仅 1.5mΩ),从而显著降低了功率损耗并提升了整体效率。
  该器件采用了 TO-263 (D2PAK) 封装形式,这种封装不仅散热性能优越,还便于表面贴装和自动化生产。
  此外,它拥有高达 48A 的连续漏电流能力和 60V 的漏源电压承受能力,确保其在高负载条件下的稳定运行。
  其快速开关特性和较低的栅极电荷使得该器件非常适合高频应用场合,同时能够有效减少开关损耗。
  最后,其宽泛的工作温度范围(从 -55°C 到 150°C)保证了即使在极端环境下也能正常工作。

应用

TESDN151AD32 广泛用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器
  - 电动工具和家用电器中的电机驱动
  - 汽车电子系统中的负载开关
  - 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备
  - 工业自动化控制中的继电器替代方案
  凭借其卓越的性能指标,这款 MOSFET 成为众多工程师首选的解决方案。

替代型号

IRFZ44N, TIP122, FDP5700

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