时间：2025/5/29 16:11:34
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TESDN051AD92 是一款高性能的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性，适合在各种电源管理应用中使用。
这款 MOSFET 适用于消费电子、工业设备以及通信设备中的功率转换、负载开关和电机驱动等场合。
型号：TESDN051AD92
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：84 A
导通电阻（Rds(on)）：1.5 mΩ
栅极电荷（Qg）：73 nC
开关时间：开启延迟时间 28 ns，上升时间 9 ns，关闭延迟时间 15 ns，下降时间 8 ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
TESDN051AD92 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（1.5 mΩ 典型值），有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流（84 A 连续漏极电流），使其能够承受较大的负载。
3. 快速的开关速度，确保在高频应用中表现出色，同时减少开关损耗。
4. 良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，适合严苛的工作条件。
5. 紧凑的封装设计，便于在空间受限的应用中集成。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
TESDN051AD92 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动电路，用于控制和调节电机的速度与方向。
3. 电池管理系统（BMS），实现对电池充放电过程的精确管理。
4. 电动车和混合动力汽车中的功率模块，支持车辆的动力系统。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路，保障系统的可靠运行。
6. 可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的功率处理单元，优化能量转换效率。
IRF3205
STP120NF06L
AO3400A
