TESDL081AD32是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。其主要应用领域包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种工业控制场景。
TESDL081AD32的工作电压范围较宽,能够适应多种电路设计需求。同时,它还具备良好的静电防护性能和可靠性,确保在复杂环境下的稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:15A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:25nC
最大功耗:75W
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,有效降低功率损耗。
2. 快速开关特性,适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力,提升系统可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
5. 小尺寸封装,节省PCB空间。
6. 具备出色的热特性和电气性能,适合严苛的应用条件。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 负载开关,用于动态调节负载电流。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制组件。
6. 各种电池保护电路及充电管理系统。
IRFZ44N
FDP5500
STP16NF06L