时间：2025/7/8 17:08:11
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TESDL051BD32是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，在保证高效率的同时具备较低的导通电阻和快速的开关特性。此外，其封装形式紧凑，非常适合对空间要求严格的电子设计。
该型号属于Toshiba（东芝）半导体系列中的功率MOSFET产品线，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：48nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
TESDL051BD32具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够有效降低功耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频工作环境。
3. 高雪崩能量耐受性，增强了在异常条件下的可靠性。
4. 大电流承载能力，满足多种功率应用需求。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准，绿色环保无铅设计。
这款功率MOSFET适用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电源管理。
5. 各种需要高效功率控制的应用场合。
TESDL051BD22, TESDL051BD42
