TESDL051AD32是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够在高频和高效率的应用场景中表现出色。
该型号属于Toshiba(东芝)公司的产品系列,专为要求高可靠性和低功耗的设计而优化。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:48A
导通电阻(典型值):2.9mΩ
总栅极电荷:87nC
输入电容:4250pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
3. 快速开关性能,支持高频操作,降低开关损耗。
4. 具备强大的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 采用TO-247封装形式,便于散热设计与安装。
6. 符合RoHS标准,环保且适用于多种工业规范。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的直流电机驱动。
3. 大功率LED照明系统的驱动电路。
4. 工业设备中的负载切换和保护电路。
5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器模块。
IRFP2907, FDPF3770, STP100NF06L