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TESDA5V0A 发布时间 时间:2025/7/12 12:13:50 查看 阅读:16

TESDA5V0A是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效能功率开关器件,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关特性,能够显著提高系统的效率并减小整体尺寸。
  TESDA5V0A采用DFN8封装形式,具备出色的热性能和电气性能,适用于需要高功率密度和高效率的设计环境。

参数

额定电压:650V
  额定电流:20A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:75nC
  反向恢复时间:30ns
  工作温度范围:-40℃至+150℃

特性

1. 基于先进的氮化镓(GaN)技术,提供更高的开关频率和更低的开关损耗。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少导通损耗。
  3. 高速开关特性,支持MHz级别的工作频率。
  4. 内置ESD保护功能,增强器件在恶劣环境中的可靠性。
  5. 小型化的DFN8封装,有助于简化PCB布局并降低寄生效应的影响。
  6. 具备优异的热稳定性和耐久性,适合长时间高负载运行。

应用

1. 高频开关电源设计,如AC-DC适配器和充电器。
  2. 工业级DC-DC转换器模块。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理。
  5. 汽车电子中的车载充电器和其他高压控制单元。

替代型号

GXTN65R040GA, EPC2020

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TESDA5V0A参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器