TESD18G2B 时间：2025/12/27 7:42:17 阅读：14

TESD18G2B是一款高性能的瞬态电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子设备免受瞬态过电压事件（如静电放电ESD、电快速瞬变脉冲群EFT以及雷击感应浪涌）的影响而设计。该器件属于表面贴装型半导体保护元件，采用先进的硅基PN结技术制造，具有响应速度快、箝位电压低、可靠性高等优点，广泛应用于高速数据接口、通信端口及便携式电子产品中。TESD18G2B具备双向电压保护能力，适用于交流或双极性信号线路的防护，例如USB端口、HDMI接口、以太网PHY层、音频线路等。其封装形式通常为小型化的SOD-923或类似DFN类型，有助于节省PCB空间，适合高密度布局的现代电子系统。
　　该器件的工作原理是在正常工作电压下呈现高阻抗状态，不影响电路运行；当出现超过其击穿电压的瞬态过压时，迅速导通并将能量泄放到地，将电压箝位在安全水平，从而保护后级IC不受损坏。由于其极低的结电容（通常低于1pF），TESD18G2B特别适合用于高频信号路径中的ESD保护，不会对信号完整性造成显著影响。此外，它能承受IEC 61000-4-2标准规定的最高级别接触放电（±30kV）和空气放电测试，展现出卓越的抗干扰能力和长期稳定性。

参数

类型：双向TVS二极管
　　反向关态电压（VRWM）：18V
　　击穿电压（VBR）：20.1V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：1.5A
　　箝位电压（VC）：29.2V @ IPP
　　结电容（Cj）：典型值0.85pF @ 0V
　　峰值脉冲功率（Ppk）：100W（8/20μs波形）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-923

特性

TESD18G2B的核心特性之一是其超低结电容设计，典型值仅为0.85皮法拉（pF），这使得该器件非常适合用于高速数据传输接口的保护。在当今的消费类电子产品中，诸如USB 2.0、HDMI、DisplayPort和RF天线开关等应用对信号完整性的要求极为严格，任何附加的寄生电容都可能导致信号衰减、反射或眼图闭合。TESD18G2B凭借其极低的电容特性，在不影响信号质量的前提下提供可靠的静电防护。这种性能优势来源于优化的芯片结构设计和先进的制造工艺，确保了在高频环境下依然保持稳定的电气特性。
　　另一个关键特性是其双向电压保护能力。与单向TVS仅适用于直流正偏压线路不同，TESD18G2B可在正负两个方向上对瞬态电压进行有效抑制，因此特别适合用于差分信号线或存在交流成分的电路节点。这一特性使其能够应对来自任意极性的ESD冲击，比如人体模型（HBM）或机器模型（MM）放电事件。无论瞬态电压是正向还是负向，器件都能迅速响应并在纳秒级时间内进入导通状态，将过电压箝制在安全范围内，防止后级CMOS逻辑电路、模拟前端或射频模块受损。
　　该器件还具备出色的热稳定性和长期可靠性。其采用坚固的硅PN结构和高质量封装材料，能够在极端环境条件下持续工作。即使在反复遭受ESD冲击后，其电气参数仍能保持稳定，不会出现老化或性能退化现象。此外，它符合RoHS和REACH环保标准，不含铅和有害物质，适用于工业、汽车、通信等多个领域的严苛应用场景。通过AEC-Q101车规认证的产品版本还可用于车载信息娱乐系统或传感器接口保护。

应用

TESD18G2B主要应用于需要高可靠性静电放电（ESD）保护的高速信号接口电路中。一个典型的应用场景是通用串行总线（USB）端口的物理层保护，尤其是USB 2.0 Full-Speed和High-Speed模式下的D+与D-差分线。由于这些线路直接暴露于外部连接器，极易受到用户插拔过程中产生的静电影响，因此必须配备低电容、快速响应的TVS器件。TESD18G2B因其0.85pF的极低结电容和小于1ns的响应时间，成为理想的保护方案，能够在不引入信号失真的前提下抵御高达±30kV的IEC 61000-4-2接触放电冲击。
　　在移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴装置中，TESD18G2B常被用于保护耳机插孔、麦克风输入、SIM卡槽、SD卡接口以及触摸屏控制器信号线。这些接口频繁与人体接触，面临较高的ESD风险，同时又要求最小的寄生效应以维持音频质量和触控灵敏度。该器件的小型SOD-923封装也便于集成到紧凑的主板布局中，满足便携式产品对空间的高度要求。
　　此外，该TVS还适用于工业通信接口，如RS-485、CAN总线的部分信号线保护，尤其是在非电源线且需兼顾速度与防护的场合。在消费类显示器和电视产品中，可用于HDMI、DP或LVDS视频链路的ESD防护。由于其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），也可部署于户外设备或高温环境中运行的控制系统内，提供持久稳定的过压保护能力。