类型：ESD保护二极管阵列
　　工作电压：8V
　　最大反向工作电压（VRWM）：8V
　　最大钳位电压（VC）：13.3V（在Ipp=3.5A时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：3.5A（8/20μs波形）
　　响应时间：小于1ns
　　电容（典型值）：30pF
　　封装形式：SOT-23
　　引脚数：3
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

TESD08G2B采用了高性能的硅半导体技术，具备快速响应和高效能吸收ESD冲击的能力。其响应时间低于1纳秒，确保在静电放电发生的瞬间即可提供保护，防止电压尖峰对下游电路造成损坏。该器件的钳位电压较低，能够在承受高达3.5A的峰值电流时仍保持相对稳定的电压水平，从而有效降低对被保护电路的压力。此外，TESD08G2B的电容值仅为30pF，这一特性使其非常适合用于高速信号线路的保护，不会对信号完整性造成明显影响。
　　该ESD保护二极管具有双向保护功能，适用于正负极性瞬态电压的防护，适用于广泛的电路设计需求。SOT-23封装形式使其具有较小的PCB占用空间，适用于紧凑型设计。其工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定工作，适用于工业和汽车应用。

TESD08G2B广泛应用于需要ESD保护的各类电子系统中，包括但不限于USB接口、HDMI端口、以太网接口、RS-485通信线路、传感器接口等高速或敏感信号线路的保护。该器件特别适用于工业控制设备、网络通信设备、消费类电子产品以及车载电子系统中的静电防护。由于其低电容和双向保护特性，TESD08G2B也常用于保护模拟和数字信号路径，如音频和视频接口、触摸屏控制器、数据存储设备等。

STM802T, NUP1301, ESD9C, PESD5V0S1B