TESD05FU是一款基于硅技术的低电容ESD(静电放电)保护二极管,专为高速数据线和高频信号路径设计。该器件具有超低的电容特性,能够有效保护敏感电子设备免受静电放电事件的损害,同时保持信号完整性和系统性能。
该产品属于瞬态电压抑制器系列,广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业自动化领域。其封装小巧,便于在高密度电路板上集成。
工作电压:5V
最大箝位电压:9.6V
响应时间:≤1ns
结电容:0.3pF(典型值)
峰值脉冲电流:±5A(8/20μs波形)
静态漏电流:≤1μA
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 超低结电容(0.3pF),适合高速数据线路保护。
2. 极快的响应时间(≤1ns),确保及时抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准,支持±15kV接触放电和±30kV空气放电。
4. 小型化封装(如DFN或SOT系列),适用于空间受限的设计。
5. 宽广的工作温度范围(-55℃至+150℃),适应各种环境条件下的应用。
6. 无铅环保设计,满足RoHS规范要求。
1. USB接口保护,包括USB 2.0和USB 3.0等高速数据传输端口。
2. HDMI、DisplayPort和其他多媒体接口的静电防护。
3. 移动设备中的天线和射频线路保护。
4. 工业控制系统的I/O端口保护。
5. 汽车电子中的CAN总线和LIN总线防护。
6. 各种通信模块(如蓝牙、Wi-Fi)的数据线防护。
PESD5V0H1BA, SM712, TPD1E05U02