时间：2025/7/7 15:57:42
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TESC3R0V12B1X 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，专为高频和高效率应用设计。该芯片采用先进的封装技术，具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、通信设备等领域。
这款芯片的主要特点是其出色的热性能和小尺寸封装，能够显著提升系统的功率密度和效率。
型号：TESC3R0V12B1X
类型：GaN 功率晶体管
封装：DFN5x6
最大漏源电压（Vds）：600V
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ
栅极驱动电压（Vgs）：6V/12V
连续漏极电流（Id）：40A
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温：175°C
开关频率：高达 5MHz
TESC3R0V12B1X 具有以下显著特性：
1. 采用增强型氮化镓（eGaN）技术，提供更低的导通电阻和更高的效率。
2. 快速开关能力，可有效降低开关损耗并支持高频操作。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间并提高功率密度。
4. 高度可靠，适合严苛环境下的工业和汽车应用。
5. 内置静电保护功能，增强系统稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
TESC3R0V12B1X 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 PFC 应用。
3. 汽车电子，例如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和逆变器。
4. 工业自动化中的电机驱动和控制电路。
5. 通信基站电源和服务器电源模块。
6. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关应用。
TGH3060HV,
TESLA3R0V12B1,
GAN063-650WSA
