时间：2025/7/4 1:32:49
阅读：22
TESB5R0V18B1X 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，这使得它在高频开关应用中表现出色。同时，其紧凑的封装设计有助于节省 PCB 空间，非常适合对尺寸有严格要求的应用场景。
型号：TESB5R0V18B1X
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：18V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：36A
导通电阻 (Rds(on))：5.0mΩ
栅极电荷 (Qg)：47nC
总电容 (Ciss)：3190pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 仅为 5.0mΩ，有效降低了导通损耗，提升了系统效率。
2. 高额定电流能力 (36A)，适用于大功率应用。
3. 高速开关性能，得益于极低的栅极电荷 (47nC)，可减少开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，能够在极端环境下稳定运行。
5. 小型化封装 (TO-263)，便于在空间受限的设计中使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 各类电机驱动应用，如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)。
5. 高效 LED 驱动器和负载切换电路。
6. 通信电源和服务器电源中的同步整流功能。
IPW50R050PBF
IRF540N
FDP18N18
