时间：2025/8/3 20:53:07
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TES2N0511是一款由Toshiba（东芝）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压和低导通电阻的特点，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：5A（最大）
栅极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
TES2N0511的主要特点包括其高耐压性能，使其能够承受高达500V的漏源电压，适用于高电压环境下的工作条件。此外，该MOSFET具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路板中。同时，该器件的栅极电压范围较宽，支持±30V，增强了其在不同电路设计中的适用性。TES2N0511的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在极端温度条件下仍能稳定工作。
这款MOSFET的设计使其非常适合用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制电路。其优异的热稳定性和可靠性也使其成为工业设备和消费电子产品中常用的功率器件。此外，TES2N0511的结构设计优化了其短路耐受能力，提高了在异常工作条件下的安全性。
TES2N0511通常用于需要高耐压和较高电流能力的电路中，例如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制和电源管理系统。此外，该器件还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。
2SK2647, 2SK2141
