时间:2025/12/27 20:28:22
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TEA1402T是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的高性能、高集成度的开关电源控制器芯片,广泛应用于离线式反激变换器设计中。该器件专为满足能源效率标准而设计,如Energy Star和DoE Level VI等,适用于低功率至中等功率的AC-DC转换应用。TEA1402T采用准谐振(Quasi-Resonant, QR)控制模式,在高压输入条件下实现零电压开关(ZVS),从而显著降低开关损耗,提升整体转换效率。该芯片集成了多种保护功能,包括过压保护、过流保护、过温保护以及开环保护,确保系统在各种异常工作条件下的安全性和可靠性。此外,TEA1402T具备极低的待机功耗,典型值低于30mW,非常适合对能效要求严苛的消费类电子产品。其封装形式为DIP-8或SOP-8,便于手工焊接与自动化生产,广泛用于手机充电器、适配器、智能家电电源模块等领域。由于其高度集成的设计理念,外围元件数量少,有助于缩小PCB面积并降低整体BOM成本。
型号:TEA1402T
制造商:NXP Semiconductors
封装类型:SOP-8/DIP-8
工作电压范围(VCC):10.5 V 至 26 V
启动电流:≤ 5 μA
最大栅极驱动输出电压:约14 V(钳位)
开关频率范围:典型50 kHz 至 100 kHz,可变频
控制模式:准谐振(QR)/固定关断时间控制
电流检测输入阈值:典型1 V(前沿消隐后)
内置高压启动电路:支持直接连接整流母线
待机功耗:< 30 mW(典型)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
结温:最高150°C
输出驱动能力:图腾柱输出,支持外接MOSFET
保护功能:OVP、OCP、OTP、Brown-out、Open-loop protection
TEA1402T的核心特性之一是其准谐振(Quasi-Resonant, QR)控制机制,这种控制方式通过检测变压器初级侧漏感与MOSFET输出电容之间的谐振谷底来触发开关导通,从而实现零电压开关(ZVS)。这一技术大幅降低了开关过程中的电压和电流交叠,减少了开关损耗,提高了转换效率,尤其是在高输入电压条件下表现尤为突出。相比传统的PWM控制器,TEA1402T在满载和轻载情况下都能保持较高的效率水平,避免了硬开关带来的电磁干扰(EMI)问题,有利于简化EMI滤波电路设计。
另一个关键特性是内置高压启动电路。TEA1402T集成了一个高压电流源,可在上电时直接从整流后的直流母线汲取微小电流为VCC电容充电,无需额外的辅助绕组或外部启动电阻网络。这不仅加快了启动速度,还显著降低了待机状态下的功耗,使系统轻松满足国际能效标准。当VCC达到启动阈值后,控制器开始正常工作,并由辅助绕组供电维持运行,此时高压启动电路自动关闭以减少功耗。
TEA1402T具备完善的多模式保护机制。例如,过压保护(OVP)可监测反馈回路状态,防止因反馈失效导致输出电压失控;过流保护(OCP)通过逐周期限流结合打嗝模式应对短路或过载情况;过温保护(OTP)则在芯片结温过高时切断输出,待温度下降后自动恢复。此外,它还具有欠压锁定(UVLO)和开环保护功能,确保电源在异常状态下不会损坏负载或自身。
该芯片还优化了动态响应性能,采用先进的电流模式控制架构,配合前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)技术,有效抑制开关瞬间产生的尖峰干扰,提高电流检测精度。同时,其可变频率调节策略能够根据负载变化调整工作频率,在重载时提高频率以增强带载能力,在轻载时降低频率进入间歇模式,进一步降低功耗。这些特性共同使得TEA1402T成为一款高效、可靠且易于设计的绿色电源解决方案核心控制器。
TEA1402T主要应用于各类低功率到中等功率的隔离式开关电源系统中,特别适合需要高能效和低待机功耗的应用场景。常见应用包括手机充电器、USB电源适配器、智能家居设备电源模块、路由器和网络通信设备的内置电源、小型家电控制板供电、LED照明驱动电源以及工业传感器供电单元等。由于其支持宽输入电压范围和良好的瞬态响应能力,TEA1402T也适用于全球通用输入(85VAC - 265VAC)的离线式反激变换器设计,能够在不同电网环境下稳定运行。此外,得益于其高度集成和外围元件精简的特点,TEA1402T被广泛用于空间受限的小型化电源产品中,帮助工程师缩短开发周期并降低生产成本。其优异的EMI性能也有助于通过CISPR 32、EN 55032等电磁兼容认证,适用于出口型电子产品。
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