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TEA1114T/C3 发布时间 时间:2025/12/27 22:01:26 查看 阅读:20

TEA1114T/C3是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能、高集成度的电源管理芯片,专为离线式开关电源应用设计,广泛应用于低功率AC-DC转换场景。该器件采用电流模式控制的反激式拓扑结构,具备出色的能效表现和系统稳定性,适用于适配器、充电器、家电辅助电源、智能电表以及工业控制电源等对成本敏感且要求高可靠性的场合。TEA1114T/C3集成了高压启动电路、误差放大器、PWM调制器、过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)等多种功能模块,显著减少了外部元器件数量,简化了电源设计流程。该芯片支持宽输入电压范围,能够在85VAC至265VAC的交流输入条件下稳定工作,满足全球通用电网标准。其待机功耗极低,符合国际能效等级如Energy Star、CoC Tier 2等绿色能源规范。此外,TEA1114T/C3采用紧凑型DIP-8或SO-8封装形式,便于PCB布局与散热管理,提升了整体系统的可制造性和可靠性。

参数

型号:TEA1114T/C3
  制造商:STMicroelectronics
  封装类型:SO-8
  工作输入电压范围(Vcc):10.5V 至 28V
  启动电流:≤5μA
  典型开关频率:60kHz
  最大占空比:约80%
  反馈控制类型:电流模式PWM控制
  内置高压启动:是
  集成MOSFET耐压:650V
  工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  待机功耗:<30mW(典型值)
  保护功能:过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、前沿消隐(LEB)
  引脚数:8
  调制方式:固定频率电流模式控制

特性

TEA1114T/C3具备多项先进的电源管理特性,使其在同类产品中脱颖而出。首先,该芯片内置了高压启动单元,可在上电时直接从高压母线获取能量为VCC电容充电,从而省去了传统辅助绕组或外置启动电阻的设计,大幅降低待机损耗并提升系统启动可靠性。其次,其电流模式控制架构提供了快速的瞬态响应能力,结合内部斜坡补偿机制,有效防止在高占空比下发生次谐波振荡,确保反激变换器在整个负载范围内稳定运行。芯片还集成了精确的保护机制,包括逐周期电流限制、自动恢复模式下的过流保护以及锁存式过温保护,极大增强了系统的安全性与鲁棒性。
  另一个关键特性是其优异的轻载效率表现。TEA1114T/C3采用了多模式控制策略,在满载时以固定频率PWM模式工作以保证输出精度;在中等负载时进入降频模式以提高效率;而在空载或极轻载条件下则自动切换至突发模式(Burst Mode),通过间歇性开启开关动作来最小化开关损耗和驱动损耗,从而实现低于30mW的待机功耗,满足严格的环保法规要求。此外,该器件具有良好的EMI性能优化设计,如内部软启动功能和可控的栅极驱动上升时间,有助于减少电磁干扰,简化EMI滤波电路设计。
  TEA1114T/C3还具备出色的抗噪能力和线路扰动抑制能力,反馈引脚具有较高的噪声 immunity,能够有效抵抗来自变压器耦合或PCB布局引入的干扰信号,提升系统工作的稳定性。其内部所有有源和无源元件均经过严格筛选与匹配,保证了批次一致性与长期可靠性。综合来看,TEA1114T/C3是一款高度集成、高效节能、安全可靠的电源控制IC,非常适合用于构建经济高效的离线式SMPS解决方案。

应用

TEA1114T/C3主要应用于多种低功率离线式开关电源系统中,典型使用场景包括手机充电器、USB适配器、智能家居设备电源模块、白色家电中的辅助电源(如微波炉、洗衣机、空调显示面板供电)、工业传感器和PLC的小型电源单元、智能电表的隔离电源部分以及LED照明驱动电源等。由于其高集成度和宽输入电压适应能力,该芯片特别适合需要全球通用输入电压支持的产品设计。在家电领域,TEA1114T/C3常用于实现主控MCU的独立供电,提供稳定的5V或3.3V直流输出,同时具备良好的抗浪涌和雷击防护兼容性。在工业应用中,它可用于构建隔离型DC-DC前端,配合光耦和稳压基准实现精准电压调节。此外,该芯片也适用于需要满足严苛安规认证(如UL、CE、CB)和能效标准的产品开发,帮助客户缩短认证周期并降低BOM成本。得益于其SO-8小型封装,TEA1114T/C3还能适应空间受限的应用环境,例如超薄电视电源板或嵌入式物联网网关设备中。无论是在消费类电子还是工业控制领域,TEA1114T/C3都展现了出色的通用性和工程实用性。

替代型号

TNY278PN
  UCC28910DRG4
  VIPER16LD
  SG6848SP

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