TE53N50E 时间：2025/7/23 22:04:03 阅读：9

TE53N50E 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率应用场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压以及优异的热稳定性能，适用于电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化等场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：500V
　　漏极电流 Id：53A（连续）
　　导通电阻 Rds(on)：≤ 0.14Ω（典型值）
　　栅极电压 Vgs：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：200W

特性

TE53N50E 具备多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，从而提高能效；高耐压（500V）能力使其适用于高压系统。该器件的封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定运行。
　　此外，TE53N50E 采用了先进的高压工艺技术，确保在恶劣环境下的高可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与多种驱动电路匹配。该器件还具备快速开关特性，适用于高频应用，从而减少开关损耗并提高整体效率。
　　在热管理方面，该MOSFET的热阻较低，能够有效散发工作过程中产生的热量，延长使用寿命并提高系统稳定性。其封装设计符合工业标准，易于安装和替换。

应用

TE53N50E 主要应用于各种高功率和高电压系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其优异的导通特性和高耐压能力，该器件在太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业电源转换器中也得到广泛应用。
　　此外，该MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的场合，如电信设备电源、LED照明驱动电路以及家用电器中的功率控制部分。其高功率处理能力和优异的热稳定性使其成为各种高性能电源管理系统的理想选择。