类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω（最大）
　　功耗（Pd）：180W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

TE30N50EN具有多项关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.16Ω（最大），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。在高电流负载条件下，低Rds(on)能够有效降低发热，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的漏源电压（Vds）为500V，使其适用于高压应用，例如高电压DC-DC转换器和开关电源。此外，TE30N50EN的栅源电压（Vgs）为±20V，提供较宽的驱动电压范围，允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制。
　　该MOSFET的连续漏极电流能力为30A，能够承受较大的负载电流，适合用于高功率电机控制和电源转换应用。同时，其最大功耗为180W，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
　　在封装方面，TE30N50EN采用TO-220封装，该封装具有良好的散热能力和机械稳定性，适合多种PCB安装方式，并且便于散热片的安装。TO-220封装也广泛应用于工业和消费类电子产品中，具有良好的兼容性和可靠性。
　　最后，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定工作。这一特性使其适用于工业控制、汽车电子、能源管理等多种应用场景。

TE30N50EN适用于多种高功率和高压电子系统。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，用于高效能电源转换。其低导通电阻和高耐压能力使其在AC-DC转换器和DC-DC转换器中表现出色，提高整体电源效率并减少发热损耗。
　　在电机控制应用中，TE30N50EN可用于H桥驱动电路，控制直流电机或无刷电机的运转。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。
　　此外，该器件也可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和电池管理系统等新能源应用。在这些系统中，TE30N50EN能够高效地进行能量转换和管理，提高系统的整体性能和可靠性。
　　由于其良好的封装兼容性和高耐压特性，该MOSFET也可用于消费类电子产品中的电源管理模块，如电视电源、LED照明驱动和充电器等应用。

FQA30N50C、STF30NM50N、IRFBE30N50E、SPW30N50CFD、TK30A50D