时间：2025/12/26 15:59:02
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TE28F800CVB90是Intel推出的一款16兆位（Mbit）的并行接口闪存芯片，属于Intel 28F系列Flash存储器产品线。该器件采用CMOS工艺制造，具有高性能、高可靠性和低功耗的特点，适用于需要非易失性程序或数据存储的应用场景。TE28F800CVB90提供8 Mbit × 2扇区结构，总容量为16 Mbit（即2 MB），支持标准的5V供电电压，兼容TTL电平接口，便于与多种微控制器和处理器直接连接而无需额外的电平转换电路。该芯片支持快速读取操作，典型访问时间低至90纳秒，因此适合用于嵌入式系统中对启动代码、固件或配置信息进行高速读取的应用环境。其内部采用E2PROM技术改进的Flash存储单元，支持块擦除和字节编程功能，允许用户在系统运行期间更新部分程序内容。此外，该器件具备较高的耐久性，典型的擦写周期可达10万次以上，并可保证数据保存时间超过10年。TE28F800CVB90封装形式为48引脚TSOP（Thin Small Outline Package），符合工业级温度范围要求（-40°C 至 +85°C），适用于恶劣工作环境下的工业控制、通信设备、网络设备及消费类电子产品。尽管该型号已逐渐被新型号替代，但在一些老旧系统维护和升级项目中仍具有一定的使用价值。
制造商：Intel
系列：28F
存储类型：闪存
存储容量：16 Mbit
存储格式：1M × 16
技术：CMOS
供电电压：4.5V ~ 5.5V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装：48-TSOP
速度：90ns
接口类型：并行
组织结构：1M x 16
编程电压：5V
待机电流：≤ 200 μA
读取电流：≤ 30 mA
擦除方式：扇区/整片擦除
写入保护：硬件写保护功能
访问时间：90 ns
输出逻辑电平：TTL 兼容
可靠性：擦写次数 ≥ 100,000 次；数据保持 ≥ 10 年
TE28F800CVB90具备多项关键特性，使其成为早期嵌入式系统设计中的主流闪存解决方案之一。首先，该芯片采用高性能CMOS技术，在确保低静态功耗的同时实现了快速的数据访问能力，典型读取访问时间为90纳秒，能够满足大多数实时系统的响应需求。其次，其16 Mbit的存储空间以1M × 16的组织方式进行布局，适合16位微处理器或DSP系统的直接接口连接，简化了系统设计复杂度。该器件支持灵活的擦除模式，包括按扇区擦除和整片擦除，使得开发者可以有选择地更新特定区域的程序代码而不影响其他部分，提升了系统维护效率。
此外，TE28F800CVB90集成了硬件写保护机制，通过特定引脚控制可防止意外写入或擦除操作，增强数据安全性。其内置的状态轮询机制可用于判断编程或擦除操作是否完成，无需依赖定时延时，提高了系统资源利用率。该芯片还支持在线编程（In-System Programming, ISP），允许在不拆卸芯片的情况下进行固件升级，极大地方便了现场维护和远程更新。
在可靠性方面，该器件经过严格测试，保证至少10万次的擦写寿命以及长达10年的数据保存能力，即使在极端温度条件下也能稳定运行。其48引脚TSOP封装体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能和抗干扰能力。虽然该型号现已停产，但由于其稳定的性能表现和广泛的应用基础，仍在工业自动化、网络路由器、电话交换设备等长期服役系统中持续发挥作用。
TE28F800CVB90广泛应用于各类需要非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业控制系统中的PLC模块，用于存储启动引导程序、用户程序和配置参数；在网络通信设备如路由器、交换机和调制解调器中，作为固件存储介质，承载操作系统映像和协议栈代码；在消费类电子产品如机顶盒、打印机和数码相机中，用于保存设备初始化代码和用户设置信息。
此外，该芯片也常见于汽车电子系统中，例如车载导航仪、车身控制模块和仪表盘控制系统，负责存储关键控制逻辑和校准数据。由于其支持5V供电和TTL电平兼容，能够无缝对接多种传统微控制器架构（如8051、68K、ColdFire等），因此在老一代嵌入式平台升级项目中具有重要地位。
在军事和航空航天领域，尽管新型闪存不断涌现，但TE28F800CVB90因其经过验证的长期可靠性与供货稳定性记录，在某些认证周期长、更换成本高的系统中仍然被沿用。此外，它也被用于测试测量仪器、医疗设备和POS终端等对数据持久性和系统稳定性要求较高的场合。随着技术进步，虽然目前更多采用SPI NOR Flash或eMMC等新型存储方案，但在维护既有设备时，该型号仍是工程师的重要参考对象。
MT28F800CBA-90
AM28F800BV-90
SST39SF040-70-4C-PHE
