类型：NOR Flash
　　容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：按字节/字寻址
　　工艺技术：StrataFlash
　　封装形式：48-pin TSOP
　　工作电压：3.0V 至 3.6V
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　读取访问时间：110 ns
　　接口类型：并行接口（x8/x16 模式）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　擦除寿命：典型值10万次
　　数据保持时间：典型值10年
　　写保护功能：支持硬件写保护（WP# 引脚）及软件锁定位
　　总线宽度：可配置为8位或16位模式
　　待机电流：典型值50 μA
　　工作电流：典型值30 mA
　　编程/擦除电压：内部生成，无需外部高压

TE28F800B3TA110具备卓越的读取性能，其110纳秒的快速访问时间使其非常适合直接从闪存执行代码（XIP, Execute In Place）的应用场景。这种能力显著减少了对额外RAM缓存的需求，简化了系统架构并降低了整体成本。该芯片采用Intel专有的StrataFlash技术，虽然在此型号中以标准单层或多层单元模式运行，但仍继承了该技术在耐久性、数据保持力和制造一致性方面的优势。其内建的状态机控制器能够自主管理复杂的编程和扇区擦除流程，用户只需发送命令序列即可启动操作，完成后通过查询输出状态位判断是否成功，极大简化了软件驱动开发难度。
　　该器件支持灵活的扇区架构，允许对存储空间进行细粒度管理。例如，它可以将存储器划分为多个独立可擦除的扇区（如主块与小参数块），便于实现固件更新、配置保存与日志记录等功能而不相互干扰。同时，提供了多种软件命令集支持，包括清除、编程、锁定、保护释放等操作，并兼容JEDEC标准命令接口，增强了与其他工具链和调试设备的互操作性。
　　为了确保系统稳定性，TE28F800B3TA110配备了多重数据保护机制。除了硬件写保护引脚（WP#）外，还支持通过软件设置永久性或临时性的扇区锁定功能，防止意外修改或恶意篡改关键代码区域。即使在电源不稳定的情况下，其内部电路也具备一定的抗干扰能力，并建议配合使用电源监控电路以避免部分写入导致的数据损坏。此外，该芯片在制造时经过严格筛选，保证在工业级温度范围内长期可靠运行，适用于无风扇、高温或振动环境中部署的设备。
　　尽管该型号已经不再作为主流推荐产品出现在最新选型指南中，但由于其成熟的设计和广泛的行业验证，仍被许多客户用于延续性项目和替换维修用途。其引脚兼容性和命令集与同系列其他型号保持一致，有助于平滑迁移或升级路径。总体而言，TE28F800B3TA110是一款强调稳定性、耐用性和易用性的嵌入式闪存解决方案，特别适合注重长期供货保障和系统鲁棒性的传统工业与通信应用。
　　

TE28F800B3TA110广泛应用于各类需要非易失性存储且对可靠性要求较高的嵌入式系统中。常见用途包括路由器、交换机和其他网络基础设施设备中的引导程序（bootloader）存储，因其支持快速随机读取，可在上电后迅速加载操作系统内核。在工业自动化领域，该芯片常用于PLC控制器、HMI人机界面和远程I/O模块中，用于存放固件代码和配置参数，确保在断电后仍能保留关键信息。此外，在电信基站、DSL调制解调器、POS终端及医疗仪器中也有部署，特别是在那些需要长时间连续运行、不易频繁维护的场合。
　　由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，该器件也被应用于车载电子系统，如车身控制模块、仪表盘显示单元或车载诊断系统（OBD），满足汽车电子对元器件稳定性的基本要求。在军事与航空航天相关地面设备中，该型号因经过充分验证而被用于备份配置数据或存储自检程序。对于研发和测试平台而言，TE28F800B3TA110也常作为原型验证阶段的标准闪存选择，因其文档齐全、驱动示例丰富，有利于缩短开发周期。
　　随着现代系统趋向更高集成度和更小封装尺寸，该并行接口NOR Flash正逐渐被串行SPI NOR Flash或eMMC等新型存储方案所取代。然而，在某些遗留系统升级、备件更换或特定客户需求下，TE28F800B3TA110依然具有不可替代的地位。尤其是在无法更换PCB布局的老产品维护中，其TSOP封装和引脚定义的兼容性显得尤为重要。因此，虽然新设计中较少采用，但在生命周期管理和技术支持层面，该芯片仍需受到关注。
　　

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