制造商：Intel (现归属SK hynix)
　　产品系列：StrataFlash? Memory
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 MWords (128 MBytes)
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　接口类型：并行（地址/数据复用总线）
　　时钟频率：最高支持 85 MHz
　　访问时间：85 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-TSOP
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：按扇区或整片擦除
　　写保护功能：支持硬件（WP#引脚）和软件写保护
　　数据保持时间：大于 10 年
　　编程/擦除次数：≥ 100,000 次
　　组织结构：1 x 64M Word
　　总线宽度：x16（16位）
　　封装尺寸：标准56引脚TSOP II 型

TE28F640P30T85具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域表现出色。首先，其采用的StrataFlash技术结合了NOR Flash的快速随机访问能力和MLC的高密度优势，在保证读取速度的同时提升了存储效率。这种技术允许每个存储单元存储两位数据，从而在相同硅片面积下实现双倍容量，有效降低了单位存储成本，特别适合对成本敏感但又需要较大存储空间的应用环境。
　　其次，该芯片支持全电压范围内的可靠编程与擦除操作，无需额外的高压电源，所有必要的编程电压均由内部电荷泵自动产生，简化了系统电源设计并减少了外围元件数量。此外，其内置的状态机能够自动执行编程和擦除操作，并通过就绪/忙（R/B#）信号引脚向主机反馈操作进度，减轻了主处理器的负担，提高了系统整体效率。
　　再者，TE28F640P30T85提供了灵活的扇区架构，将整个存储空间划分为多个可独立擦除的扇区（包括多个小扇区和大扇区），支持细粒度的数据管理。用户可以选择仅擦除需要更新的部分，而不影响其他区域的数据，这对于频繁更新配置参数或日志记录的应用非常有利。同时，支持软件和硬件双重写保护机制，确保关键固件不会因误操作或异常断电而损坏。
　　最后，该器件符合工业级可靠性标准，具备优异的抗干扰能力和长期数据保持性能。即使在恶劣的电磁环境或宽温条件下，仍能稳定运行，适用于路由器、交换机、PLC控制器、医疗设备等要求高可靠性的应用场景。其成熟的工艺和广泛的市场验证也使其成为众多OEM厂商信赖的选择。

TE28F640P30T85广泛应用于各类需要大容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机和基站中的固件存储，因其具备快速启动能力和良好的随机读取性能，能够支持系统上电后迅速加载操作系统和配置文件。在工业自动化控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块中，用于保存用户程序、设备参数和历史数据，其工业级温度范围和高耐久性确保了在严苛工厂环境下的长期稳定运行。
　　在网络设备方面，TE28F640P30T85适用于防火墙、网关和IP电话等产品，作为Boot ROM存储引导代码，配合外部RAM实现系统的冷启动。其支持XIP（Execute-In-Place）功能，允许处理器直接从Flash中执行代码，无需将程序复制到RAM，节省了内存资源并加快了启动速度。
　　在消费类电子领域，该芯片可用于数字电视、机顶盒、打印机和智能家电中，用于存储操作系统映像、用户界面资源和校准数据。由于其具备较高的编程/擦除寿命和数据保持能力，即使在频繁升级固件的场景下也能维持较长的使用寿命。
　　此外，在医疗仪器、测试测量设备和车载信息娱乐系统中，TE28F640P30T85也被广泛采用，用于存储关键的应用程序代码和设备配置信息。其支持的块锁定和写保护功能有助于防止非法篡改或意外覆盖，满足行业对数据完整性和安全性的要求。总体而言，该芯片凭借其高性能、高可靠性和成熟的生态系统，已成为多种嵌入式平台的核心存储组件之一。

S29GL128P