时间：2025/12/26 13:58:08
阅读：23
TE28F640J3C150是一款由Intel（现属于SK hynix）推出的高性能、低功耗的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash Embedded Memory Technology系列。该器件采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而显著提高存储密度并降低单位成本。TE28F640J3C150具有64Mbit（即8MB）的存储容量，组织方式为4M x16位结构，适用于需要高可靠性、非易失性存储解决方案的嵌入式系统应用。该芯片支持多种工作模式，包括读取、编程、擦除和待机模式，并内置智能电源管理功能以优化能耗表现。其设计目标是为工业控制、网络设备、通信基础设施以及消费类电子产品提供稳定可靠的代码和数据存储能力。
这款闪存器件采用了0.18微米制造工艺，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容低电压CMOS电平，适合在电池供电或对功耗敏感的应用环境中使用。它具备较高的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持10万次编程/擦除周期，数据保存时间可达10年以上。此外，TE28F640J3C150集成了内部状态机，能够自动执行复杂的编程和擦除操作，减轻主处理器负担，提升系统整体效率。封装形式为56引脚TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB布局中实现紧凑安装。
型号：TE28F640J3C150
制造商：Intel / SK hynix
存储容量：64 Mbit (8 MB)
组织结构：4M x 16 bits
工艺技术：0.18 μm MLC Flash
工作电压：2.7V ~ 3.6V
访问时间：150 ns
封装类型：56-pin TSOP Type I
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
编程电压：内部电荷泵生成
接口类型：并行异步接口
写保护功能：硬件WP#引脚支持
待机电流：≤ 100 μA
读取电流：≤ 30 mA
编程/擦除电流：≤ 30 mA
TE28F640J3C150具备多项先进的技术特性，使其在嵌入式非易失性存储领域表现出色。首先，其采用的StrataFlash MLC技术不仅提升了存储密度，还通过优化单元结构降低了漏电流，增强了长期数据保持能力。每个存储单元可以存储两个比特的信息，使得在相同硅片面积下实现更高的容量，同时控制成本增长。这种技术特别适用于那些需要大容量固件存储但又受限于物理空间和预算的应用场景。
其次，该芯片支持全芯片和扇区级别的擦除操作，允许用户灵活地管理存储区域。共有128个扇区，每个扇区大小为64KB，支持独立擦除和编程，便于实现现场固件升级（FOTA）、日志记录或配置数据存储等功能。内置的状态机可自动完成编程和擦除过程中的电压调节、脉冲施加和验证步骤，确保操作的可靠性和一致性，同时减少CPU干预需求。
再者，TE28F640J3C150具备强大的错误管理机制和可靠性保障措施。它支持软件数据保护（Software Data Protection, SDP）功能，防止因意外写入或断电导致的数据损坏。硬件写保护引脚（WP#）可在外部电路层面锁定存储内容，增强安全性。此外，器件内部集成了ECC（错误校正码）逻辑，在读取过程中能检测并纠正一定程度的位错误，进一步提升数据完整性。
最后，该器件具有良好的环境适应性，支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），满足工业级应用要求。其低功耗特性也使其适用于便携式设备或远程部署系统。所有这些特性共同构成了一个高稳定性、高可用性的嵌入式存储解决方案。
TE28F640J3C150广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面设备和工业网关中存储操作系统映像、应用程序代码及运行参数。在网络通信设备如路由器、交换机和基站控制器中，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）、固件镜像和配置文件，确保设备上电后能快速加载启动代码并进入正常工作状态。
在消费类电子产品方面，TE28F640J3C150可用于数字电视、机顶盒、打印机和多媒体播放器等设备中，作为主控MCU的外部程序存储器。由于其具备较长的数据保持时间和较高的擦写寿命，也非常适合用于记录设备使用日志、用户设置或校准数据。
此外，在医疗仪器、测试测量设备和汽车电子模块中，该器件因其高可靠性和宽温性能而受到青睐。例如，在车载信息娱乐系统或远程诊断终端中，可用于存储地图数据、诊断程序或事件记录。总之，凡是需要在断电后仍能安全保存关键代码与数据，并且要求较高耐用性和稳定性的场合，TE28F640J3C150都是一个理想的选择。
S29GL064N90TFIR2
MT28EW064ABA-15:A
CY14X1064QA-AXI
