制造商：Intel (现属Skyworks)
　　系列：StrataFlash? J3
　　产品类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit
　　组织方式：4M x 16
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　读取电流：典型值 15 mA
　　待机电流：最大值 100 μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　访问时间：110 ns
　　接口类型：并行异步
　　封装类型：56-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　数据保持时间：100 年以上
　　擦写次数：100,000 次
　　JEDEC标准兼容：是

TE28F640J3C110采用了Intel独有的MirrorBit? 存储技术，这项创新技术通过在氮化物层中创建两个物理上独立但位于同一晶体管内的电荷存储区域，实现了每个存储单元可存储两个比特的数据。这种双位存储机制不仅提高了存储密度，还降低了每比特的成本，同时保持了NOR Flash传统优势，如随机访问速度快、支持XIP（eXecute In Place）等特性。由于其基于NOR架构，该芯片支持字节和字级别的随机读取，适合直接从闪存中执行代码，无需将程序加载到RAM中，这在实时操作系统和嵌入式控制器中尤为重要。
　　MirrorBit技术带来的另一个关键优势是卓越的耐久性和数据保持能力。TE28F640J3C110可承受高达10万次的擦写周期，在极端温度条件下仍能确保数据完整性，且数据保存时间超过100年，非常适合用于关键任务型应用。此外，该芯片集成了智能算法来优化编程和擦除操作，例如自动定时控制和内部验证机制，减少了主机处理器的负担，提升了整体系统效率。
　　为了增强系统的可靠性和安全性，TE28F640J3C110提供了多种保护机制，包括硬件写保护、软件锁定块功能以及安全出厂模式。用户可以对特定地址块进行锁定，防止意外修改或恶意篡改，这对于存储启动代码或校准参数非常有用。同时，该器件支持多种省电模式，包括深睡眠模式和待机模式，能够有效降低系统功耗，延长电池供电设备的工作时间。其110ns的快速访问时间确保了高效的数据吞吐能力，满足高速指令执行需求。

TE28F640J3C110因其高可靠性、快速读取性能和出色的环境适应性，被广泛应用于多个工业和技术领域。在通信设备中，它常用于路由器、交换机和基站模块中作为固件存储器，存储引导程序、操作系统镜像和配置文件。其XIP（就地执行）能力使得系统可以直接从闪存运行代码，减少对外部RAM的依赖，从而降低成本并提高启动速度。
　　在工业自动化与控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备、传感器节点和远程I/O模块，提供稳定的程序存储解决方案。其宽温工作范围和抗干扰设计确保在恶劣工业环境中长期稳定运行。
　　此外，TE28F640J3C110也常见于医疗电子设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，用于存储关键的操作程序和校准数据。这些应用场景对数据完整性和器件寿命有极高要求，而该芯片长达100年的数据保持能力和10万次擦写寿命正好满足此类严苛条件。
　　在网络基础设施方面，该器件可用于DSL调制解调器、光网络终端（ONT）、防火墙设备等，承担Bootloader和运行固件的存储任务。其并行接口提供了较高的数据带宽，适用于需要频繁读取大量指令代码的场合。同时，由于其已通过多项国际质量认证，符合工业级和汽车级应用标准，因此也可用于车载信息娱乐系统或辅助驾驶控制单元中的非易失性程序存储。

MT28EW640J-110 TPF:E