型号：TE28F640C3BC80
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：4 x 16 Mbit
　　电压范围：3.0V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-56
　　接口类型：并行（8/16位可选）
　　访问时间：80ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护：硬件写保护引脚
　　擦除方式：扇区/整片擦除
　　编程方式：字节/字编程
　　耐久性：>100,000次擦写周期
　　数据保持：>20年

TE28F640C3BC80的核心特性之一是其StrataFlash技术，这是一种多层编程技术，允许在相同的物理存储单元中存储多个比特信息，从而提升存储密度而不牺牲NOR Flash的关键性能优势，如快速随机访问和高可靠性。该技术结合了NOR架构的执行就地能力与接近NAND Flash的存储效率，在嵌入式应用中具有显著优势。芯片支持8位和16位两种数据总线宽度模式，可通过硬件配置引脚（BYTE#）动态切换，适应不同主控处理器的数据总线需求。这种灵活性使其能够兼容多种微控制器和DSP平台。
　　该器件具备智能分区管理功能，四个16 Mbit扇区可独立进行擦除和编程操作，便于实现固件更新、参数存储和日志记录等功能的隔离管理。例如，一个扇区可用于存放引导代码，另一个用于应用程序，第三个用于配置数据，最后一个作为备份区，提升系统的可维护性和容错能力。芯片内置的状态机支持自动编程和擦除操作，并可通过读取状态寄存器实现轮询或中断方式的状态反馈，确保操作的可靠完成。
　　在安全性方面，TE28F640C3BC80提供硬件写保护（WP#引脚）和软件写保护机制，防止因电源波动或程序异常导致的关键数据损坏。其命令集兼容JEDEC标准，简化了与现有开发工具和编程器的集成。此外，该芯片支持低功耗待机模式，典型电流低于20μA，适用于便携式和电池供电设备。所有操作均通过标准化的命令接口控制，包括解锁、编程、擦除、挂起和恢复等，便于嵌入式软件开发人员实现固件升级和现场维护功能。

TE28F640C3BC80广泛应用于对可靠性、稳定性和执行效率要求较高的嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业网关设备中，用于存储操作系统映像、控制程序和配置参数。在网络通信设备中，如路由器、交换机和基站控制器，该芯片用于存放引导加载程序（Bootloader）和固件代码，支持远程固件升级（FOTA）功能，同时利用其多扇区结构实现双区冗余备份，确保系统在升级失败时仍可回滚至旧版本，保障设备可用性。
　　在医疗电子设备中，TE28F640C3BC80因其高可靠性和长期数据保持能力，被用于存储关键的诊断算法、设备校准数据和患者使用记录，满足医疗行业对数据完整性的严格要求。在消费类电子产品中，如高端打印机、POS终端和智能家居控制器，该芯片提供稳定的代码存储解决方案，支持快速启动和频繁的参数更新。此外，在航空航天和国防系统中，其宽温工作范围和抗干扰设计使其能够在极端环境下稳定运行，适用于飞行控制模块、雷达信号处理单元等关键子系统。
　　由于其支持XIP（执行就地）特性，TE28F640C3BC80特别适合与ARM、PowerPC、MIPS等嵌入式处理器配合使用，使处理器直接从闪存中执行代码，减少对外部RAM的依赖，降低系统成本和复杂度。其并行接口提供较高的数据吞吐率，适合实时性要求较高的应用场景。开发过程中，工程师可借助通用编程器或JTAG调试工具进行芯片烧录和验证，缩短产品开发周期。

MT28F640C3BC80