制造商：Intel
　　系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储容量：512 Mbit
　　存储配置：64M x 8 位 / 32M x 16 位
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-56, FBGA-64
　　接口类型：并行异步接口
　　访问时间：70ns / 90ns（典型值）
　　编程/擦除耐久性：10万次（典型）
　　数据保持时间：10年（最小）
　　组织结构：每扇区4KB，多个块结构
　　支持CFI：是
　　总线宽度：可配置为 x8 或 x16 模式

TE28F640C3采用Intel专有的StrataFlash MLC技术，能够在每个存储单元中存储多个比特的信息，从而显著提高存储密度并降低单位比特的成本。这种技术使得它在保持NOR Flash高速随机访问优势的同时，实现了接近NAND Flash的存储效率，非常适合需要频繁执行代码执行（XIP, eXecute In Place）功能的嵌入式系统。该芯片支持全电压范围内的快速读取操作，典型访问时间仅为70ns，确保了处理器可以直接从闪存中运行程序而无需先将代码加载到RAM中，极大地优化了系统启动时间和内存资源利用。
　　在可靠性方面，TE28F640C3内置硬件级错误检测与纠正机制（ECC），能够自动识别并修正单比特错误，同时检测多比特错误，防止数据损坏。这一特性对于工业自动化、医疗设备和汽车电子等对数据完整性要求极高的应用至关重要。此外，芯片具备优异的耐久性和数据保持能力，支持至少10万次的编程/擦除周期，并可在断电情况下稳定保存数据长达10年以上，即使在极端温度环境下也能维持性能稳定。
　　该器件完全符合Common Flash Interface (CFI)规范，允许系统通过标准命令读取芯片的厂商信息、设备ID、电气参数和时序特性，极大简化了固件开发和多厂商器件替换过程。其灵活的扇区架构支持细粒度擦除操作（最小4KB扇区），便于实现高效的文件系统管理和固件更新机制。TE28F640C3还支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。整体而言，该芯片在性能、可靠性与成本之间取得了良好平衡，是中高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

TE28F640C3广泛应用于各类需要高可靠性、中等至大容量非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和远程固件升级。在工业控制方面，该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面和数据采集终端中，用于保存控制逻辑、历史数据和校准参数，适应宽温、高振动等严苛工作环境。消费类电子产品如激光打印机、多功能一体机和数字复印机也大量采用TE28F640C3来存储固件和字体库，利用其XIP特性实现高效打印处理。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示模块和ADAS辅助驾驶单元中，存储启动代码、图形资源和系统设置，满足车规级可靠性要求。此外，在医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统中，TE28F640C3用于保存关键的诊断算法和设备配置信息，保障数据安全与系统稳定性。由于其支持并行接口和快速读取，特别适合需要实时响应的应用场景。同时，该芯片也被用于测试测量仪器、POS终端、安防监控设备等领域，作为主程序存储介质。随着对嵌入式系统本地存储需求的增长，TE28F640C3凭借其成熟的技术方案和稳定的供货记录，持续在多个行业中发挥重要作用。

S29GL512S
　　S29GL512R
　　MT28EW512ABA
　　IS25LP512