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TE28F400-CVB80 发布时间 时间:2025/12/26 16:42:21 查看 阅读:26

TE28F400-CVB80是一款由Texas Instruments(德州仪器)生产的高性能、低功耗的CMOS闪存存储器芯片,属于其TMS28F系列中的并行接口闪存产品。该器件采用先进的Flash技术制造,具有高可靠性、非易失性数据存储能力,适用于需要在断电后仍能保留数据的应用场景。TE28F400-CVB80的存储容量为4兆位(即512千字节),组织方式为256K x 16位,适合用于嵌入式系统中的程序存储或数据存储。该芯片支持快速读取操作,访问时间低至80纳秒,能够满足对响应速度要求较高的工业控制、通信设备和消费类电子产品的需求。器件工作电压通常为3.3V或5V兼容I/O,具备宽温度范围选项(如商业级和工业级),可在恶劣环境下稳定运行。此外,TE28F400-CVB80集成了多种保护机制,包括软件写保护和硬件写保护引脚(WP#),防止因误操作导致的关键代码被擦除或修改,提高了系统的安全性与稳定性。

参数

型号:TE28F400-CVB80
  制造商:Texas Instruments
  存储容量:4 Mbit (512 KB)
  组织结构:256K x 16 bits
  接口类型:并行
  供电电压:2.7V 至 3.6V(Vcc),5V 兼容 I/O
  访问时间:80 ns
  工作温度范围:0°C 至 70°C(商业级)
  封装形式:TSOP-48
  编程电压:内部电荷泵生成所需高压
  写使能/禁止:支持软件和硬件写保护
  待机电流:典型值 1 μA(最大 100 μA)
  读取电流:典型值 20 mA

特性

TE28F400-CVB80具备多项先进特性,使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先,该芯片采用高效的命令集架构,支持标准的CE#(片选)、OE#(输出使能)和WE#(写使能)控制信号,允许用户通过简单的微处理器或微控制器接口进行无缝连接。其内置的命令用户界面(Command User Interface, CUI)支持多种操作模式,包括读取阵列、自动选择、产品识别、扇区擦除、整片擦除以及字编程等,极大提升了使用的灵活性。特别地,该器件支持扇区保护功能,可将特定扇区锁定以防止意外修改,这对于存放固件或关键配置数据非常关键。
  其次,TE28F400-CVB80具备优异的耐久性和数据保持能力。每个存储单元可支持至少10万次的擦写周期,确保长期频繁更新的应用需求得以满足;同时,在正常工作条件下,数据可保存长达10年以上,即使在高温环境中也能维持良好的稳定性。这使得它广泛应用于工业自动化、医疗设备、网络路由器和POS终端等领域。
  再者,该器件优化了功耗管理机制,提供多种省电模式,例如深睡眠模式和待机模式,能够在不进行读写操作时显著降低系统能耗,延长电池供电设备的使用寿命。此外,其TSOP-48小型化封装设计有助于节省PCB空间,适应紧凑型电子产品布局需求。所有这些特性共同构成了一个高可靠、高性能、易于集成的闪存解决方案,特别适合对稳定性与耐用性有较高要求的应用环境。

应用

TE28F400-CVB80广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。常见用途包括工业控制系统中的PLC(可编程逻辑控制器)程序存储、通信基础设施设备(如交换机、路由器)的固件存储、医疗监测仪器的数据记录模块、POS终端和自助服务机的操作系统存储,以及汽车电子中的车载信息娱乐系统升级模块。由于其支持快速随机读取和稳定的写入性能,也适用于需要频繁加载启动代码或执行现场固件更新(FOTA)的应用场景。此外,在消费类电子产品中,如数字电视、机顶盒和智能家电中,该芯片可用于存储启动引导程序和用户配置信息。其宽温工作能力和抗干扰设计也使其适用于户外设备和恶劣工业环境下的长期运行。得益于5V I/O兼容性,它可以方便地与多种老式或混合电压系统接口对接,无需额外电平转换电路,降低了整体系统设计复杂度和成本。因此,无论是在嵌入式控制、网络通信还是智能终端设备中,TE28F400-CVB80都是一种成熟可靠的闪存选择。

替代型号

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