时间：2025/10/30 9:52:35
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TE28F320C3TD90是一款由Intel（现属Micron Technology）生产的32兆位（4MB）NOR闪存芯片，属于Intel StrataFlash嵌入式存储器系列。该器件采用先进的多层单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而在保持较小封装尺寸的同时实现较高的存储密度。TE28F320C3TD90支持x8/x16两种数据接口模式，使其能够灵活地兼容多种微控制器和处理器系统。该芯片广泛应用于需要可靠、非易失性存储的嵌入式系统中，如工业控制设备、网络通信设备、医疗仪器以及汽车电子系统等。其设计注重低功耗与高性能之间的平衡，适合电池供电或对能效有较高要求的应用场景。此外，该器件具备较强的环境适应能力，可在较宽的工业级温度范围内稳定工作，确保在恶劣环境下依然保持数据完整性与操作可靠性。Intel为该系列芯片提供了完整的软件支持包和编程算法，便于开发者进行固件更新、数据写入与擦除管理。总体而言，TE28F320C3TD90是一款面向中端嵌入式市场的高性能、高可靠性NOR Flash解决方案。
制造商：Intel (now Micron)
产品系列：StrataFlash
存储容量：32 Mbit (4 MB)
架构类型：NOR Flash
电压范围：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP-48
数据总线宽度：8/16 位可选
访问时间：90 ns
编程/擦除耐久性：10万次典型值
数据保持时间：10年典型值
工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
组织结构：按扇区划分，支持独立擦除
写保护功能：硬件写保护引脚（WP#）
待机电流：≤ 100 μA 典型值
读取电流：≤ 25 mA 典型值
编程电流：≤ 30 mA 典型值
TE28F320C3TD90具备多项关键技术特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。
首先，其采用的StrataFlash技术结合了NOR Flash的快速随机访问能力和多层单元（MLC）的高密度优势，在不牺牲读取性能的前提下提升了存储效率。这使得它特别适用于需要频繁执行代码执行（XIP, eXecute In Place）的应用场合，例如在路由器或工控机中直接从Flash运行操作系统引导程序。
其次，该芯片支持异步SRAM-like接口，兼容广泛的处理器地址/数据总线架构，无需复杂的时序控制即可实现即插即用式连接，极大简化了硬件设计与系统集成过程。
再者，TE28F320C3TD90内置智能写入与擦除算法，通过片上状态机自动管理编程电压、脉冲宽度和验证流程，有效降低了主控CPU的负担，并提高了写操作的成功率与一致性。同时支持扇区级擦除（最小可擦除单位为64KB或更小区块），允许局部更新而不影响其他区域数据，增强了系统的灵活性与数据安全性。
此外，该器件提供硬件写保护机制（通过WP#引脚），可在物理层面防止意外修改关键固件区域；还具备Vpp检测与低电压锁定功能，避免在电源不稳定期间发生错误写入。
最后，其TSOP-48小型化封装适合空间受限的设计，且符合工业级温度规范，保证在极端环境下的长期稳定性。这些综合特性使TE28F320C3TD90成为工业自动化、通信基础设施和车载电子等领域中值得信赖的存储选择。
TE28F320C3TD90主要应用于各类需要可靠、高速、非易失性存储的嵌入式系统中。
在通信设备领域，常用于路由器、交换机和基站控制器中作为Boot Code存储器，支持快速启动和现场固件升级（FOTA），并因其低延迟读取特性而适合实时协议栈的驻留执行。
在工业控制系统中，该芯片被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端及远程I/O模块，用于保存配置参数、校准数据和用户程序，即使断电也能确保关键信息不丢失。
汽车电子方面，TE28F320C3TD90可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示单元和车载诊断系统（OBD-II），满足车规级可靠性要求，支持长时间运行下的数据持久化。
此外，在医疗设备如便携式监护仪、超声成像前端控制板中，该芯片用于存储设备固件和默认设置，其高耐用性和数据保持能力保障了设备的安全性和合规性。
测试与测量仪器也常采用此类Flash器件来存储校准曲线、操作日志和系统自检程序。
由于其支持XIP模式，许多基于ARM、PowerPC或ColdFire架构的嵌入式平台将其作为外部程序存储器使用，替代传统的EPROM或EEPROM方案，从而降低整体BOM成本并提升系统响应速度。总之，凡是对代码执行速度、数据可靠性及环境适应性有较高要求的嵌入式应用场景，都是TE28F320C3TD90的理想用武之地。
MT28F320C3TD-9
