制造商：Intel
　　系列：StrataFlash
　　存储容量：32 Mbit（4 MB）
　　存储结构：2 x 16 Mbit 阵列
　　工艺技术：28F 技术
　　工作电压 - 核心：3.0V 至 3.6V
　　工作电压 - I/O：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：70 ns
　　接口类型：并行接口（x16）
　　封装类型：TSOP-56
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：10 年以上
　　组织结构：2 块，每块 16 Mbit，支持独立块擦除
　　写保护功能：硬件 WP# 引脚支持
　　总线宽度：16 位
　　待机电流：典型值 20 μA
　　工作电流：读取时典型值 30 mA

TE28F320C3TC70具备多项关键特性，使其成为当时嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用Intel专有的StrataFlash技术，能够在单个存储单元中存储多位数据，从而提高存储密度并降低成本。虽然该型号为x16接口的并行闪存，但其内部架构支持多层编程策略，提升了写入效率和可靠性。其次，其70纳秒的快速访问时间确保了高速读取性能，满足大多数实时操作系统对启动代码和常驻程序的快速加载需求。这种低延迟特性对于工业自动化控制器、网络交换机和路由器等设备尤为重要。
　　该器件具有高度灵活性的块擦除架构，整个32Mbit存储空间被划分为两个独立可擦除的块，每个块为16Mbit。这种设计允许系统在更新一个块的同时继续从另一个块执行代码，实现“后台”固件升级功能，极大提升了系统的可用性和维护便利性。此外，芯片内置硬件写保护引脚（WP#），可通过外部逻辑控制防止误擦写操作，增强了数据安全性。
　　在电源管理方面，TE28F320C3TC70支持低功耗待机模式，待机电流低至20μA，适合电池供电或节能型应用。其CMOS工艺和优化的电路设计有效降低了动态功耗，在持续读取状态下电流消耗也保持在合理水平。同时，器件支持宽范围的I/O电压（2.7V~3.6V），便于与多种3.3V逻辑系统接口匹配，增强了系统设计的兼容性。
　　可靠性方面，该芯片保证至少10万次的编程/擦除周期，数据保持时间超过10年，即使在极端环境条件下也能稳定运行。其TSOP-56封装具有良好的热稳定性和机械强度，适用于自动化贴片生产线。Intel还提供了完整的命令集支持，包括软件复位、查询操作、擦除挂起/恢复等功能，便于开发人员实现复杂的存储管理算法。

TE28F320C3TC70主要用于需要中等容量、高可靠性和快速读取能力的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），这些设备依赖于稳定的程序存储来确保长时间无人值守运行。在通信领域，该芯片常用于网络基础设施设备，如DSL调制解调器、宽带接入设备、小型路由器和交换机，用于存放启动代码、配置信息和操作系统镜像。其快速启动能力和数据持久性有助于缩短设备初始化时间并提升系统稳定性。
　　在消费类电子产品中，该器件曾应用于数字电视、机顶盒和多媒体播放器等设备，作为主控MCU的外部程序存储器。由于其并行接口提供较高的数据吞吐率，适合处理大尺寸固件映像的快速加载。此外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，TE28F320C3TC70因其高可靠性和长期数据保持能力而被选用，用于存储校准数据、操作日志和应用程序代码。
　　汽车电子也是其重要应用方向之一，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和仪表盘控制单元。在这些环境中，器件需承受一定的振动、温度变化和电磁干扰，而TE28F320C3TC70的设计符合相关工业标准，具备较强的抗干扰能力和环境适应性。尽管当前新型串行闪存（如SPI NOR Flash）在成本和空间上更具优势，但在某些对带宽要求较高的旧有设计中，此类并行闪存仍具不可替代性。

S29GL032N90TF104
　　MT28EW32ADA-70:J
　　IS28F320J3C-70