制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash
　　类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit
　　组织结构：32M x 8 / 16M x 16
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：100ns
　　接口类型：并行
　　封装类型：TSOP-64
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写使能信号：有
　　输出使能信号：有
　　片选信号：有
　　块结构：4 x 32KB + 12 x 64KB + 127 x 128KB
　　编程时间（典型值）：200μs/字
　　擦除时间（典型值）：2s/块
　　耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年

TE28F320B3BA-100具备多项先进的技术特性，使其在复杂的嵌入式环境中表现出色。首先，其采用的StrataFlash多级单元技术不仅提升了存储密度，还在不显著增加成本的前提下实现了更高的性能表现。通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量，该芯片可在每个存储单元中存储多个比特信息，从而在相同物理尺寸下提供更大的有效容量，这对空间受限的应用尤为重要。
　　其次，该器件具有极高的可靠性和数据完整性保障机制。内置的ECC（错误校正码）电路可自动检测并纠正单比特错误，预防数据损坏。同时，智能的磨损均衡算法延长了整体使用寿命，确保频繁擦写操作不会集中于某些特定区块而导致早期失效。芯片支持硬件级块锁定功能，用户可通过设置特定寄存器来保护关键固件区域免受误写或恶意篡改，这在安全敏感型系统中至关重要。
　　再者，TE28F320B3BA-100拥有优异的环境适应能力。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其适用于恶劣工业环境或户外部署场景。低功耗设计包括待机模式和深度掉电模式，有助于降低系统整体能耗，特别适合电池供电或绿色节能设备。此外，该芯片支持快速随机访问（100ns访问时间），使得代码可以直接从闪存执行（XIP, eXecute In Place），无需先加载到RAM，提高了系统响应速度并节省内存资源。
　　最后，其高度集成的内部状态机可自动处理编程和擦除操作，减轻主机处理器负担。命令集符合Common Flash Interface (CFI)标准，便于跨厂商器件替换与软件移植。这些综合特性使TE28F320B3BA-100成为当时高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

TE28F320B3BA-100主要应用于对稳定性、持久性和性能要求较高的嵌入式系统领域。在电信基础设施中，它常被用于路由器、交换机和基站设备中，用以存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，确保设备在断电后仍能可靠恢复运行。由于其支持XIP功能，处理器可直接从该芯片执行初始化程序，加快启动过程并减少对外部SRAM的依赖。
　　在工业自动化与控制领域，该芯片广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端及远程I/O模块中，用于保存控制逻辑、固件更新包和运行日志。其高耐久性和长期数据保持能力确保了在频繁升级或调试环境下数据的安全性与一致性。
　　此外，在军事与航空航天电子系统中，TE28F320B3BA-100因其宽温特性和抗干扰能力强而受到青睐，可用于飞行控制系统、雷达信号处理单元和卫星通信模块等关键子系统中，承担核心软件的存储任务。其区块保护和写保护机制也满足了军规级安全标准的要求。
　　在网络存储设备如NAS和专用网关中，该芯片同样扮演重要角色，用于存放引导程序和安全认证密钥。即使在复杂电磁环境或长时间不间断运行条件下，也能保证数据完整无损。总体而言，该器件适用于任何需要大容量、高可靠性NOR Flash的嵌入式应用场景。

S29GL256P_10_70_1K0