时间：2025/12/26 14:14:55
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TE28F200B5B80是英特尔（Intel）推出的一款并行接口的NOR型闪存芯片，属于Intel StrataFlash家族中的早期产品系列。该器件采用先进的ETOX（EPROM Tunnel Oxide）技术，具备高性能、高可靠性和低功耗特性，广泛应用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中。TE28F200B5B80的存储容量为200Mbit（即25MB），组织方式为16位数据总线，适合需要代码存储和快速执行的应用场景。该芯片支持在线电可擦除和可编程（EEPROM-like）功能，允许用户在系统运行过程中对程序或数据进行更新，而无需移除芯片。其封装形式通常为TSOP（Thin Small Outline Package）或FBGA，便于在空间受限的PCB设计中使用。由于其非易失性特性，即使在断电情况下也能长期保存数据，因此常用于固件存储、BIOS存储以及嵌入式操作系统引导代码的存放。尽管该型号已逐步被新型号替代，但在一些老旧设备维护和工业升级项目中仍有应用价值。
品牌：Intel
类型：NOR Flash
容量：200 Mbit
组织结构：16位数据宽度
工作电压：2.7V 至 3.6V
访问时间：80ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行
写入/擦除耐久性：10万次
数据保持时间：100年
TE28F28F200B5B80具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现优异。首先，其基于Intel的StrataFlash技术，能够在单个存储单元中实现多层数据存储，提升存储密度的同时保持良好的读取速度与可靠性。该芯片支持全电压范围内的快速读取操作，典型访问时间为80ns，能够满足高速处理器对代码执行效率的需求。此外，它具备块保护机制，允许用户对特定地址区域进行写保护，防止意外擦除或写入，从而增强系统稳定性与数据安全性。
该器件支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，在不进行读写操作时显著降低功耗，适用于电池供电或对能效有严格要求的应用场景。内部集成的嵌入式算法可自动完成擦除和编程操作，简化了主机处理器的控制逻辑，并减少了软件开发复杂度。芯片还具备硬件复位功能，可在异常情况下快速恢复至默认状态，提升系统鲁棒性。
TE28F200B5B80支持扇区擦除、整片擦除和字节编程等多种操作模式，灵活性高，便于实现增量更新和现场升级。其制造工艺成熟，具有出色的抗干扰能力和长期数据保持能力，可在恶劣工业环境中稳定运行。同时，该芯片通过了多项工业级认证，确保在宽温范围内（-40°C至+85°C）性能一致。虽然该型号已不再作为主流推荐产品，但其技术架构为后续Flash器件的发展奠定了基础。
TE28F200B5B80主要用于需要高可靠性和代码快速执行的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机等通信基础设施设备中的固件存储，工业自动化控制器中的程序存储，以及医疗设备、测试仪器等对数据完整性要求较高的领域。由于其支持XIP（eXecute In Place）特性，处理器可以直接从该Flash芯片中读取并执行代码，避免将程序加载到RAM中，从而节省内存资源并加快启动速度。此外，该芯片也常用于POS终端、车载电子系统和军工电子设备中，作为Boot Loader或操作系统映像的存储介质。在一些老旧设备的维护与备件替换中，该型号仍具有实际应用价值。尽管当前市场已转向更高密度、更低功耗的SPI NOR Flash或串行接口方案，但在并行接口需求未淘汰的系统中，TE28F200B5B80仍是一个稳定可靠的选择。
MT28EW256ABA1LPC-0SIT
S29GL256P_0K_11
