制造商：Intel
　　系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储类型：闪存
　　存储容量：256Mbit
　　存储配置：16M x 16
　　技术：MLC
　　接口类型：并行
　　时钟频率：无
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　编程电压：无独立编程电压
　　最大访问时间：70ns
　　写保护功能：有
　　扇区大小：128 Kbyte
　　扇区数量：128
　　块大小：16 Kbyte
　　可靠性（数据保持期）：10年
　　擦写次数：100,000次
　　

TE28F200B5B60具备多项先进特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash技术，结合多级单元（MLC）架构，在保证性能的同时显著提升了存储密度。与传统的单级单元（SLC）闪存相比，StrataFlash能够在相同的硅片面积上实现更高的容量，从而降低了每兆字节的成本，特别适合对成本敏感但又需要较大存储空间的应用场景。其次，该器件支持快速读取访问，最大访问时间为70纳秒，能够满足实时系统对低延迟数据读取的需求，确保系统启动迅速且运行流畅。此外，芯片内部集成了智能状态机逻辑，可自动完成编程（Program）和擦除（Erase）操作，无需外部控制器进行复杂时序控制，大大简化了软件驱动开发流程，并提高了系统的稳定性。
　　另一个重要特性是其灵活的分区结构。TE28F200B5B60将256Mbit的存储空间划分为128个扇区，每个扇区大小为128KB，同时还包含更小的16KB块区域，便于执行细粒度的数据更新操作。这种分层式的擦除结构允许用户仅擦除需要修改的部分，而不影响其他数据，有助于延长闪存寿命并提高系统效率。此外，该芯片支持硬件和软件写保护机制，防止意外或恶意写入/擦除操作，增强了数据安全性。在电源管理方面，器件具备多种功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，可在不使用时大幅降低功耗，适用于电池供电或节能要求高的设备。
　　TE28F200B5B60还具备出色的环境适应能力，规定的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级应用标准，能够在极端温度环境下稳定运行。其封装形式为56引脚TSOP（Thin Small Outline Package），符合JEDEC标准，便于自动化贴片生产和维修更换。尽管该型号目前已停产，但由于其在工业和通信领域中的广泛应用，仍有不少替代方案和兼容升级路径可供选择。总体而言，TE28F200B5B60以其高可靠性、良好的性能表现和成熟的生态系统，成为许多长期部署系统中的核心存储组件。

TE28F200B5B60主要用于各类嵌入式系统和工业电子设备中，作为非易失性存储介质来保存固件、引导代码、操作系统映像、配置参数和日志数据等关键信息。典型应用包括路由器、交换机和其他网络通信设备，其中该芯片用于存储启动加载程序（Bootloader）和设备固件，确保设备在断电后仍能可靠启动。在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，TE28F200B5B60被广泛用于保存用户程序、设备设置和运行记录，支持长时间稳定运行。此外，在电信基础设施设备如基站控制器、DSLAM（数字用户线路接入复用器）和光网络单元（ONU）中，该芯片也发挥着重要作用，提供大容量、高耐久性的本地存储能力。
　　由于其支持工业级温度范围（-40°C ~ +85°C），TE28F200B5B60非常适合部署在户外或环境条件恶劣的场合，例如交通监控系统、能源管理系统和智能电网终端设备。在医疗仪器领域，一些需要长期保存校准数据和操作日志的便携式或固定式设备也会采用此类闪存芯片。此外，某些军用或航空航天相关的地面支持设备也可能使用该型号，因其具备较高的数据完整性和抗干扰能力。虽然当前新型设计更多转向串行NOR Flash或eMMC/UFS等现代存储方案，但对于仍在维护和生产的老一代设备而言，TE28F200B5B60仍然是不可或缺的关键元器件。其并行接口特性也使其适用于那些基于传统MPU（微处理器）架构的系统，这些处理器通常不具备原生SPI或QSPI接口，必须依赖并行总线连接外部存储器。因此，该芯片在系统升级、备件替换和技术支持服务中依然具有重要价值。

MT28EW256ABA1LPC-0SIT
　　S29GL256P_0
　　IS25LP256D