型号：TE28F160C3TD90
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：256K x 64位
　　接口类型：x8/x16
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP
　　编程/擦除耐久性：100,000 次
　　数据保持时间：10 年
　　访问时间：90 ns
　　读取电流：典型值 30 mA
　　待机电流：典型值 1 μA
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写入保护：硬件和软件块保护
　　内部状态机：支持自动编程和擦除控制

TE28F160C3TD90具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，其采用的StrataFlash技术结合多级单元（MLC）架构，在保持标准NOR Flash高速随机读取能力的同时，实现了更高的存储密度，相较于传统单级单元（SLC）NOR Flash更具成本效益。这种特性使得它特别适合需要较大代码存储空间但又不能牺牲执行速度的应用，例如工业控制器、网络设备和通信模块。
　　其次，该芯片支持x8/x16两种总线宽度模式，能够灵活适配不同主控处理器的数据总线配置，增强系统设计的兼容性与可扩展性。其90纳秒的快速访问时间确保了代码的高效执行，支持XIP（eXecute In Place）功能，即处理器可以直接从闪存中运行程序而无需将其复制到RAM，从而节省系统内存资源并加快启动速度。
　　第三，TE28F160C3TD90内置智能写状态机（WSM），可自动完成复杂的编程和擦除算法，包括电压调节、脉冲施加和验证步骤，用户仅需发出高级命令即可完成操作，大大简化了软件开发流程并降低了出错风险。同时，该器件支持按扇区（sector）进行擦除和编程，最小擦除单位为64 KB，允许精细管理存储内容，提升系统灵活性。
　　此外，该芯片提供全面的保护机制，包括软件和硬件写保护功能，防止在电源不稳定或系统异常时发生误操作。其低功耗设计支持多种省电模式，如待机模式和深度睡眠模式，适用于便携式设备和远程监控系统等对能耗敏感的场合。最后，该器件通过了严格的工业级认证，能够在宽温范围内稳定运行，适应恶劣的工作环境，确保长期可靠的数据存储。

TE28F160C3TD90广泛应用于需要高可靠性、中等存储容量和快速代码执行能力的嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常用于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）设备和远程I/O模块中，用于存储固件、配置参数和诊断信息，其宽温特性和抗干扰能力确保在工厂环境中长期稳定运行。
　　在网络与通信设备中，该芯片被用于路由器、交换机、基站控制器和DSL调制解调器中，作为引导程序（bootloader）、操作系统映像和网络协议栈的存储介质。其XIP功能支持设备快速启动，减少系统延迟，提升用户体验。此外，在电信基础设施中，该器件的高耐久性和数据保持能力保障了关键配置信息的安全性。
　　在消费类电子产品方面，TE28F160C3TD90可用于打印机、多功能一体机、数字机顶盒和智能家居网关等设备中，存储设备驱动程序、用户界面资源和更新固件。其紧凑的TSOP封装有助于节省PCB空间，适合小型化设计需求。
　　此外，该芯片也适用于医疗仪器、测试测量设备和车载电子系统等对数据完整性和系统稳定性要求较高的领域。例如，在便携式医疗监测设备中，它可以安全地保存设备校准数据和患者使用记录；在车载信息娱乐系统中，则可用于存储导航地图数据和音频播放固件。得益于其成熟的工艺和长期供货保障，TE28F160C3TD90成为许多工业级产品生命周期内首选的嵌入式闪存解决方案之一。

MT28F160C3TD-90:MICRON