制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash C3
　　存储容量：16 Mbit（2 MB x8 或 1 MB x16）
　　工艺技术：MLC（多层单元）
　　电源电压 - 核心：2.7 V ~ 3.6 V
　　电源电压 - I/O：2.7 V ~ 5.5 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP
　　接口类型：并行异步接口
　　访问时间：最大90ns
　　编程/擦除耐久性：典型10万次擦写周期
　　数据保持时间：典型10年
　　组织结构：128个扇区（每扇区128KB）

TE28F160C3BA90 具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有较强的竞争力。首先，该芯片采用了Intel独有的多层单元（MLC）技术，在不显著增加物理尺寸的前提下实现了更高的存储密度。这种技术通过在每个存储单元中编码多个比特信息（通常为2比特），有效提升了单位面积内的存储容量，同时降低了整体成本，特别适合对成本敏感但又需要较大存储空间的应用场景。
　　其次，该器件支持宽电压I/O接口（2.7V至5.5V），这意味着它可以无缝连接到使用不同逻辑电平的微控制器或处理器系统，无论是3.3V还是传统的5V系统都能兼容，极大增强了系统的互操作性和设计灵活性。这一特性在工业控制系统和老旧设备升级项目中尤为重要，避免了因电压不匹配而导致的额外电平转换电路设计。
　　再者，TE28F160C3BA90 提供了高效的命令集架构，支持标准的CE#（片选）、OE#（输出使能）和WE#（写使能）控制信号，允许用户执行读取、编程、块擦除、挂起/恢复等操作。其内部状态机可自动管理复杂的编程和擦除流程，并提供就绪/忙（R/B#）信号输出，便于主机系统进行轮询或中断处理，提升系统响应效率。
　　此外，该芯片具备良好的环境适应能力，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，满足严苛工业环境下的可靠性要求。其128个独立可擦除扇区的设计支持局部更新功能，避免全片擦除带来的不便，提高了数据管理效率。每个扇区大小为128KB，便于进行固件分段存储和保护。同时，器件内置了ECC（错误校验与纠正）机制和写保护功能，防止意外写入或数据损坏，进一步保障关键数据的安全性。

TE28F160C3BA90 主要用于各类需要大容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。一个典型的应用领域是工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，这些设备通常需要存储操作系统映像、配置参数、历史数据记录以及用户程序，而该芯片提供的大容量和宽温特性正好满足此类需求。
　　在网络与通信设备方面，该芯片常被用于路由器、交换机、DSL调制解调器和基站控制单元中，作为Boot ROM或固件存储器。其快速访问时间（90ns）确保了系统启动速度，而并行接口则提供了较高的数据吞吐能力，有助于缩短设备初始化时间。
　　在消费类电子产品中，TE28F160C3BA90 可用于数字电视、机顶盒、打印机和多功能一体机等设备中，用于存放引导代码、字体库、图形资源或设备驱动程序。其低功耗待机模式也有助于延长便携式设备的电池寿命。
　　此外，在汽车电子领域，尽管该型号并非AEC-Q100认证器件，但在某些车载信息娱乐系统或后装市场设备中仍有应用实例，尤其是在需要替换原有Flash且无替代Pin-to-Pin方案的情况下。
　　医疗设备制造商也曾采用该芯片用于存储设备校准数据、操作日志和诊断程序，因其长期数据保持能力和抗干扰性能较强。随着半导体产业的发展，虽然新型串行NOR Flash和eMMC逐渐取代部分并行Flash市场，但在一些老式或定制化系统中，TE28F160C3BA90 仍发挥着不可替代的作用。

MT28EW160A-90
　　S29GL128P-90
　　IS28F160C3-90