容量：16 Mbit
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　接口类型：并行异步接口
　　电源电压：3.0V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-48
　　访问时间：90ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　总线宽度：可配置为8位或16位模式
　　擦除扇区大小：64 KB主块 + 多个4 KB小块
　　读取电流：典型值15mA
　　编程/擦除电流：典型值30mA
　　待机电流：≤ 100μA

TE28F016B3B90采用了Intel专有的ETOX（EPROM Tunnel Oxide）工艺技术，结合多级存储单元（MLC）架构，在保证高存储密度的同时实现了良好的数据保持能力。每个存储单元通过精确控制浮栅中的电荷量来表示不同的逻辑状态，从而实现每单元存储两位甚至更多位数据的能力。这种设计显著提高了芯片的存储效率，降低了单位比特成本，非常适合对成本敏感但又需要较大存储容量的应用场景。
　　该器件支持快速随机读取操作，访问时间仅为90纳秒，能够满足高速微处理器直接执行代码（XIP, eXecute In Place）的需求，无需将程序加载到RAM中即可运行，有效节省了系统内存资源并简化了系统架构。此外，它具备高效的块擦除机制，支持按64KB大块或4KB小块进行擦除操作，使得固件升级和数据管理更加灵活高效。特别是4KB的小扇区设计，特别适用于需要频繁更新小量数据的应用，如日志记录、配置参数保存等，避免了因整块擦除带来的资源浪费。
　　在可靠性方面，TE28F016B3B90内置智能磨损均衡（Wear Leveling）和错误检测与纠正（ECC）机制，能够在硬件层面自动监测和修复一定程度的位错误，延长芯片使用寿命。同时，其具备较强的抗干扰能力和宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在恶劣工业环境中稳定运行。芯片还集成了上电复位电路和电压监控模块，确保在电源不稳定时仍能安全完成关键操作，防止意外写入或擦除造成数据损坏。所有这些特性共同构成了一个高度可靠、性能优越的非易失性存储解决方案。

TE28F016B3B90因其高性能、高可靠性和灵活的接口配置，被广泛应用于各类嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中存储启动代码（Boot Code）、操作系统镜像及配置文件，支持快速启动和远程固件升级功能。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC控制器、HMI人机界面设备的数据存储模块，记录运行日志、报警信息和用户设置参数，并能在断电后长期保存关键数据。此外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，TE28F016B3B90可用于存储校准数据、患者历史记录和设备固件，确保数据安全性和系统稳定性。
　　在消费类电子产品中，该芯片也常见于数字电视、机顶盒、打印机和智能家电等设备中，承担程序存储任务。其低功耗特性使其适用于电池供电或绿色节能型设备，例如无线传感器节点和远程监控终端。由于支持XIP（就地执行）模式，CPU可直接从闪存中读取指令运行，无需复制到RAM，大幅减少了系统对主存的需求，有助于降低整体BOM成本。此外，其耐用性强、擦写寿命长的特点，使其成为需要频繁更新数据的应用的理想选择，如车载导航系统的地图更新、POS机交易记录存储等场景。总之，该芯片凭借其综合性能优势，在多个行业中发挥着重要作用。

SST39VF1601C-90-4C-NHE