型号：TE28F008S5-120
　　制造商：Intel / Skyworks
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K x 16位
　　接口类型：并行异步接口
　　供电电压：3.0V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大访问时间：120 ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供
　　封装类型：48-pin TSOP
　　擦除单元：按块擦除（sector erase）
　　写保护功能：硬件写保护引脚（WP#）
　　待机电流：典型值 50 μA
　　工作电流：典型值 20 mA

TE28F008S5-120具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。
　　首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR Flash架构的多级单元（MLC）技术，能够在不牺牲太多性能的前提下显著提升存储密度。与传统的单级单元（SLC）闪存相比，StrataFlash通过在每个存储单元中存储多个比特信息来实现更高的数据存储效率，同时仍保留了NOR Flash支持随机访问和快速读取的优点。这种特性使得TE28F008S5-120非常适合用于存储固件、引导代码和配置参数等需要频繁读取但较少更新的数据。
　　其次，该器件支持全电压范围内的可靠写入和擦除操作。其内部集成电荷泵电路可在标准3.3V电源下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部高电压电源，简化了系统设计并降低了整体成本。此外，芯片提供硬件写保护功能，通过WP#引脚可防止意外写入或擦除操作，增强了系统在异常断电或噪声干扰情况下的数据安全性。
　　再者，TE28F008S5-120具有良好的环境适应性，规定的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级应用需求，适用于恶劣环境下的长期运行。其高抗干扰能力和稳定的电气特性确保了在复杂电磁环境中依然能够正常工作。
　　最后，该器件支持多种命令集操作，包括软件数据保护（SDP）、块锁定（Block Locking）、休眠模式和状态轮询等功能，便于主机处理器对其进行精细控制。这些功能不仅提升了系统的灵活性，也增强了整体的可维护性和故障恢复能力。尽管该芯片不支持无限次擦写，但其典型的擦写寿命可达10万次以上，数据保持时间超过10年，足以应对大多数嵌入式应用场景的需求。

TE28F008S5-120因其高性能、高可靠性和成熟的工艺技术，被广泛应用于多个工业和技术领域。
　　在通信设备中，它常用于存储路由器、交换机和基站中的引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。由于其支持XIP（就地执行）功能，处理器可以直接从该闪存中读取并执行代码，减少了对外部RAM的依赖，提高了系统启动速度和响应效率。
　　在工业自动化控制系统中，TE28F008S5-120用于保存PLC（可编程逻辑控制器）的固件、用户程序和参数设置。其宽温工作范围和抗干扰能力确保了在高温、潮湿或强电磁干扰环境下依然能稳定运行，满足工业现场的严苛要求。
　　在消费类电子和办公设备方面，如激光打印机、多功能一体机和POS终端中，该芯片用于存储设备的操作系统、字体库、驱动程序和用户界面资源。其快速读取特性和字节寻址能力使得文档处理和图形显示更加流畅。
　　此外，在汽车电子系统中，TE28F008S5-120可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘和车载信息娱乐系统的固件存储。虽然现代汽车越来越多地采用更先进的闪存技术，但在一些对成本敏感且功能相对固定的子系统中，该型号仍然具有一定的应用价值。
　　值得注意的是，由于该器件已逐步退出主流市场，目前更多见于维护现有产品线或替换老旧设备中的同类芯片。对于新项目开发，建议考虑兼容性更好、供货更稳定的替代型号，或转向SPI NOR Flash等更现代的接口方案。

MT28EW01GABA1LPC-0SIT
　　S29GL008D
　　IS25LP080D