型号：TE28F008B3TA90
　　制造商：Intel / SK hynix
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K x 16-bit
　　接口类型：并行接口（Common Flash Interface, CFI）
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　访问时间：90ns
　　编程/擦除耐久性：典型10万次
　　数据保持时间：典型10年
　　写保护功能：支持软件与硬件写保护
　　是否支持XIP：支持
　　是否支持页编程：支持

TE28F008B3TA90具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先，其基于StrataFlash技术的多级单元（MLC）架构在保持NOR Flash高速读取优势的同时，提升了存储密度，降低了单位比特成本。这种技术通过调节浮栅晶体管的阈值电压，在同一物理单元内表示多个逻辑状态，从而实现更高的数据存储效率。虽然MLC通常会牺牲一定的耐久性和可靠性，但该芯片通过内置错误检测与纠正机制（ECC）以及智能磨损均衡算法，有效延长了使用寿命并提高了数据完整性。
　　其次，该器件完全符合Common Flash Interface（CFI）标准，允许系统通过查询命令获取芯片的电气特性和配置信息，从而实现不同厂商闪存之间的软件兼容性与互换性。这一特性极大简化了系统设计和固件开发流程，使开发者能够编写通用驱动程序来支持多种CFI兼容设备。此外，CFI还支持灵活的扇区划分结构，用户可根据实际需求选择对特定扇区进行擦除或编程操作，避免影响其他区域的数据。
　　再者，TE28F008B3TA90具有出色的读取性能，典型访问时间为90纳秒，足以满足大多数实时系统的响应要求。其支持全电压范围内的快速读取模式，确保在各种供电条件下都能稳定运行。与此同时，芯片内置的状态寄存器可反馈当前操作状态（如就绪/忙碌、编程成功与否等），便于主机进行异步操作管理。对于写入操作，该芯片支持按字或按块编程，并配备自动定时控制电路，以优化编程脉冲宽度，提高成功率。
　　最后，该器件在可靠性和安全性方面表现出色。除了标准的软件写保护外，还支持通过Vpp引脚实施硬件写保护，防止意外擦除或篡改关键固件。其封装设计符合工业级抗干扰标准，能够在电磁噪声较强的环境中稳定工作。此外，器件经过严格的老化测试和质量认证，确保在长达十年的时间内可靠保存数据，即使在断电状态下也不会丢失信息。这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的嵌入式存储平台。

TE28F008B3TA90广泛应用于各类需要本地代码存储和执行的嵌入式系统中。最常见的用途是作为微控制器或DSP系统的外部程序存储器，用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像、应用程序固件以及配置参数。由于其支持XIP（eXecute In Place）功能，CPU可以直接从该芯片中读取指令并执行，无需将程序加载至RAM，这不仅节省了宝贵的内存资源，也加快了系统启动速度，特别适用于路由器、交换机、防火墙等网络设备中的固件存储。
　　在工业自动化领域，该芯片常被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程IO模块中，用于保存控制逻辑、用户界面资源和设备校准数据。其工业级温度选项保证了在恶劣环境下的长期稳定性，适合部署在工厂车间、电力系统或户外监控站点等高温或低温环境中。
　　此外，TE28F008B3TA90也被应用于消费类电子产品，如打印机、POS机、智能家居网关和安防摄像头中，承担固件更新、字体库存储和日志记录等功能。在汽车电子中，虽然后续更高密度的闪存逐渐取代其位置，但在部分车载信息娱乐系统或车身控制模块中仍可见其身影。
　　值得一提的是，由于该芯片采用标准并行接口，易于与传统MPU/MCU（如ARM9、ColdFire、PowerPC等）连接，因此在一些遗留系统维护和升级项目中依然具有重要地位。随着物联网的发展，虽然串行NOR Flash（如SPI QPI）成为主流，但在对带宽和实时性要求较高的场合，并行接口闪存仍有不可替代的优势。

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　　M29W010B-90K6T3
　　IS28F008BG-90