TDZTR5.6 时间：2025/12/25 11:47:52 阅读：14

TDZTR5.6是一种齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压基准和稳压应用。该器件由ROHM Semiconductor生产，属于TDZ系列，具有较高的精度和稳定性。TDZTR5.6的标称齐纳电压为5.6V，在规定的测试电流下能够提供稳定的参考电压，适用于需要精确电压控制的模拟和数字电路中。该器件采用小型表面贴装封装（SOD-123FL），具有较小的尺寸和较低的热阻，适合高密度PCB布局。其封装设计也增强了散热性能，有助于在较高功耗条件下保持稳定工作。TDZTR5.6广泛应用于电源管理、电压检测、信号调理以及嵌入式系统中的参考源构建。
　　该齐纳二极管的工作原理基于反向击穿特性，在达到其额定齐纳电压时进入导通状态，并在此电压下维持一个相对恒定的电压降，即使电流在一定范围内变化也能保持电压稳定。这种特性使其成为低成本稳压解决方案的理想选择之一。此外，5.6V是一个特别有用的齐纳电压值，因为在此电压附近，温度系数接近于零，从而显著减少因温度变化引起的电压漂移，提高整体系统的稳定性和精度。

参数

类型：齐纳二极管
　　功率：200mW
　　标称齐纳电压：5.6V
　　容差：±2%
　　测试电流：5mA
　　最大反向电流：100mA
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装/包装：SOD-123FL

特性

TDZTR5.6齐纳二极管具备优异的电压稳定性和温度特性，尤其在5.6V工作点上表现出接近零的温度系数，这使得它在宽温度范围内都能提供高度稳定的参考电压。这一特性源于硅材料在该电压下的物理击穿机制主要为齐纳与雪崩效应的混合模式，二者温度系数相互抵消，从而实现最小的温漂。这对于精密测量设备、传感器接口电路和ADC/DAC参考源等对电压精度要求高的应用至关重要。该器件的±2%初始容差确保了出厂时的电压一致性，减少了系统校准的需求。其200mW的额定功率允许在低功耗应用中直接使用而无需额外散热措施。SOD-123FL封装不仅节省空间，还优化了热传导路径，提升了长期可靠性。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子环境。快速响应时间和低动态阻抗使其在瞬态负载变化下仍能维持输出电压稳定。此外，该器件具有低噪声特性，避免对敏感模拟电路造成干扰。其反向漏电流极低，在未达击穿电压前几乎不导通，提高了电路的能效。TDZTR5.6还具备良好的长期稳定性，老化过程中电压漂移小，保障系统在整个生命周期内的性能一致性。这些综合优势使其在工业控制、消费电子和通信设备中得到广泛应用。
　　