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TDZTR5.1 发布时间 时间:2025/12/25 12:42:54 查看 阅读:21

TDZTR5.1是一种齐纳二极管(Zener Diode),属于稳压二极管类别,广泛应用于电路中的电压参考和稳压功能。该器件的标称齐纳电压为5.1V,是常见的稳压值之一,因其在接近5V逻辑电平系统中具有良好的稳定性和温度特性而被广泛采用。TDZTR5.1通常采用SOD-323小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制电路中的低功率稳压需求。该型号由东芝(Toshiba)等制造商生产,符合RoHS环保要求,并具备良好的可靠性和长期稳定性。其工作原理基于反向击穿特性,在反向电压达到齐纳电压时,能够维持一个相对稳定的电压,即使电流在一定范围内变化,输出电压仍保持恒定,从而实现对敏感电路部分的保护和电压钳位功能。此外,该器件具有较低的动态阻抗和较快的响应速度,能够在瞬态电压波动中提供有效抑制。

参数

类型:齐纳二极管
  功率:200mW
  标称齐纳电压:5.1V
  电压容差:±5%
  最大反向电压:5.1V
  最大反向电流:5mA
  动态阻抗:≤40Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOD-323

特性

TDZTR5.1齐纳二极管具备优异的电压稳定性能,其核心特性之一是在指定的工作电流下能够提供精确且稳定的5.1V参考电压。这种稳定性得益于其经过优化的掺杂工艺和结构设计,使得在正常工作条件下,电压随电流的变化非常小,表现出低动态阻抗的特性。该器件的动态阻抗通常不超过40Ω,确保了在负载变化或输入波动时仍能维持较为平坦的输出电压曲线。此外,TDZTR5.1具有良好的温度系数匹配能力,在接近5.1V的齐纳击穿电压下,其温度系数接近于零,这意味着在较宽的温度范围内(从-55°C到+150°C),其稳压值不会因环境温度变化而产生显著漂移,这对于需要高精度电压参考的应用尤为重要。
  该器件采用SOD-323封装,体积小巧,仅为2.0mm × 1.25mm × 1.0mm左右,非常适合用于空间受限的便携式设备,如智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等。尽管其额定功率为200mW,但通过合理的PCB散热设计,可以在短时间内承受更高的脉冲功耗。其反向漏电流在未达到击穿电压前极低,一般小于1μA,有助于降低待机功耗。同时,在反向击穿后,电流可在几毫安至数十毫安范围内调节,适应不同的偏置条件。制造工艺上,TDZTR5.1遵循严格的品质控制标准,具备高可靠性与长寿命,适用于工业级和汽车级应用场景。此外,该器件符合无铅焊接要求,支持回流焊工艺,便于自动化贴片生产。

应用

TDZTR5.1广泛应用于各种电子电路中,作为电压参考源、过压保护元件或信号电平钳位装置。在电源管理电路中,它常被用作低压直流系统的稳压单元,例如在LDO线性稳压器的反馈网络中提供基准电压,以提高整体输出精度。在模拟电路中,它可以为运算放大器、ADC/DAC转换器等提供稳定的偏置电压。由于其响应速度快,也常用于瞬态电压抑制(TVS)辅助电路中,与其他保护器件配合使用,防止静电放电(ESD)或浪涌电压对下游元件造成损害。在数字系统中,TDZTR5.1可用于电平转换电路,将不同电压域之间的信号进行安全隔离和匹配,避免逻辑电平不兼容导致的误操作。此外,它还常见于传感器接口电路中,用于稳定供电电压或限制输出信号幅度,提升系统信噪比和测量精度。在消费类电子产品如手机充电器、USB接口保护、LED驱动模块中也有广泛应用。工业控制系统中的PLC模块、数据采集设备以及通信设备中的信号调理电路同样依赖此类齐纳二极管来保障系统稳定运行。

替代型号

MMBZ5226B
  BZT52C5V1
  SZMMSZ5226BT1G
  ZMM5V1

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TDZTR5.1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)5.1V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 1.5V
  • 容差±10%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳2-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装TUMD2
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C