型号：TDZTR15
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.3 A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大65 mΩ（VGS = 4.5 V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值1.0 V，范围0.7 V ~ 1.3 V
　　输入电容（Ciss）：约400 pF
　　输出电容（Coss）：约150 pF
　　反向传输电容（Crss）：约50 pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值6 nC
　　功耗（Pd）：最大200 mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-88A)
　　安装方式：表面贴装

TDZTR15采用东芝专有的沟槽结构硅工艺技术，这种设计显著降低了导通电阻RDS(on)，从而在低电压、中等电流的应用中实现了更高的能量转换效率。其最大导通电阻在VGS=4.5V时仅为65mΩ，意味着在导通状态下产生的热量更少，有助于提升系统的热稳定性并减少散热需求。该器件支持低至1.8V的逻辑电平驱动，因此可直接由3.3V或5V微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并降低了外围元件成本。此外，其栅极阈值电压较低且一致性好，确保了器件在不同工作条件下的可靠开启与关断。
　　该MOSFET具备出色的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，使得其在高频PWM控制应用中表现出色。例如，在DC-DC降压变换器或LED恒流驱动电路中，TDZTR15能够快速响应控制信号，实现精确的占空比调节，同时减少开关过程中的能量损耗。其封装采用SOT-23小型化设计，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适用于对体积敏感的便携式设备如智能手机、蓝牙耳机、移动电源等。
　　从可靠性角度看，TDZTR15经过严格的生产测试和老化筛选，具备较强的抗静电能力（ESD）和耐压能力。它能在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定运行，适应恶劣的工作环境。同时，器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求，使其也可用于车载电子模块中，如车身控制单元或车载传感器供电电路。综合来看，TDZTR15凭借其低导通电阻、小封装、高可靠性及广泛的兼容性，成为现代电子系统中极具竞争力的功率开关解决方案。

TDZTR15广泛应用于各类中低功率电源开关和信号切换场合。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电管理，如手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的上电时序以节省能耗。在DC-DC转换电路中，该MOSFET常作为同步整流器使用，替代传统二极管以降低导通压降，从而提高转换效率。此外，它也适用于LED背光驱动电路，通过PWM调光方式实现亮度精准控制，广泛见于小型显示屏或指示灯系统。
　　在工业控制领域，TDZTR15可用于继电器驱动、电磁阀控制或小型电机的H桥驱动电路中，作为低端开关器件控制接地路径的通断。由于其响应速度快、驱动电流适中，非常适合用于微控制器输出扩展，驱动蜂鸣器、继电器线圈或其他数字负载。在通信设备中，该器件还可用于I/O端口保护或热插拔电路中，防止浪涌电流损坏主控芯片。
　　此外，TDZTR15的小型SOT-23封装使其特别适合高度集成的模块化设计，例如电源管理IC周边的辅助开关、USB接口过流保护开关或充电回路中的防反接控制。在汽车电子方面，尽管其电压等级限制在20V，但仍可用于12V系统中的某些低压控制节点，如车灯控制、传感器供电切换或ECU内部电源路由。总体而言，TDZTR15凭借其紧凑尺寸、高效性能和灵活驱动特性，已成为众多嵌入式系统和电源架构中不可或缺的关键元件。

TPSMB15A
　　ZMM15
　　BZT52C15