TDZ13J,115 时间：2025/9/14 14:15:55 阅读：26

TDZ13J,115 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的双向电压抑制二极管（TVS，Transient Voltage Suppressor），主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其他瞬态电压的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于各种通用保护应用。

参数

类型：TVS二极管
　　极性：双向
　　击穿电压：13.3V
　　最大反向工作电压（VRWM）：11.5V
　　钳位电压（Vc）：19.6V（在Ipp = 1A时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A
　　最大反向漏电流（IR）：10μA（典型值）
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

TDZ13J,115 采用先进的硅雪崩技术，具有优异的瞬态电压抑制能力。其双向结构使其适用于正负电压波动的保护场景。该器件的响应时间非常短，通常在皮秒级别，能够迅速将电压钳制在安全范围内，防止敏感电子元件受损。此外，该TVS具有低电容特性（通常低于20pF），适合用于高速信号线路的保护。
　　其SOD-323小型封装设计使其非常适合空间受限的高密度电路板应用，如便携式消费电子产品、通信设备和工业控制系统。该器件的机械强度高，焊接可靠性好，适用于自动化贴片工艺。TDZ13J,115 还具备良好的热稳定性和重复使用能力，能够在多次瞬态事件中保持性能稳定。

应用

TDZ13J,115 主要用于需要瞬态电压保护的场合，包括但不限于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）、通信接口（如USB、HDMI、RS-485）、电源管理系统、工业控制设备、汽车电子模块以及消费类电子产品中的信号线和电源线保护。由于其低电容特性，它特别适合用于高速数据线路的保护，以确保信号完整性不受影响。此外，它也可用于防止静电放电对敏感IC（如微处理器、存储器、ADC/DAC等）造成的损害。