时间：2025/7/12 14:51:36
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TDM3063T1-GV 是一款基于绝缘体上硅（SOI）技术的双极型功率晶体管，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件主要应用于汽车电子领域，适合用于驱动继电器、螺线管和小型电机等负载。其设计注重高可靠性与耐用性，符合AEC-Q101标准，确保在严苛环境下的稳定性能。
该晶体管采用达林顿结构，能够显著提高增益，并降低导通压降，从而减少功耗和提升效率极管为集电极-发射极提供过压保护功能，进一步增强了产品的安全性。
最大集电极电流：2.5A
最大集电极-发射极电压：50V
最大发射极-基极电压：7V
最大功耗：2W
工作温度范围：-40℃至150℃
热阻（结到壳）：40K/W
TDM3063T1-GV 拥有以下主要特性：
1. 达林顿结构，提供高电流增益（典型值 hFE 超过 10,000）。
2. 内置齐纳二极管以实现过压保护功能，有效防止因感性负载引起的电压尖峰损坏器件。
3. 符合 RoHS 标准且无卤素材料，绿色环保。
4. 高耐热能力，能够在高达 150℃ 的环境下正常运行。
5. 小型化 TO-252 (DPAK) 封装，节省 PCB 空间。
6. 支持大电流输出，适用于多种汽车级应用。
TDM3063T1-GV 广泛应用于以下场景：
1. 汽车电子系统中的继电器驱动和螺线管控制。
2. 小型直流电机驱动，例如电动车窗、雨刷器和座椅调节。
3. LED 照明系统的恒流驱动电路。
4. 各类工业控制设备中的开关电源和信号放大电路。
5. 其他需要高可靠性和过压保护功能的场合。
TDM3063T1-HV
