TDF8541TH/N3 时间：2025/5/8 15:48:48 阅读：5

TDF8541TH/N3 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 D2PAK-3 封装形式。该器件主要设计用于高效率的开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
　　该 MOSFET 具有较低的导通电阻和优秀的开关性能，使其成为高效能电力电子设备的理想选择。此外，其坚固的设计能够承受较高的电压和电流，确保了在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：36A
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.7mΩ
　　栅极电荷（典型值）：95nC
　　输入电容（典型值）：1580pF
　　开关速度：快速
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

TDF8541TH/N3 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受力。
　　3. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　4. 快速开关性能，适合高频应用。
　　5. 较高的漏源击穿电压 (BVDSS)，提供更大的安全裕度。
　　6. 稳定的工作温度范围，适用于各种工业和汽车环境。

应用

TDF8541TH/N3 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机控制和驱动电路。
　　3. 工业自动化中的负载开关。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统。
　　5. 汽车电子设备中的高功率开关元件。
　　6. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。