时间：2025/7/1 17:55:46
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TDF10M是一种高频、高增益的NPN型硅晶体三极管，广泛应用于射频放大、混频和振荡电路中。该型号具有较低的噪声系数和较高的电流增益，在高频条件下表现出色，适用于各种无线通信设备、广播接收机以及工业控制等场景。
其封装形式通常为TO-18或SOT-23，体积小巧且易于安装，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极电流（IC）：0.1A
直流电流增益（hFE）：最小值60，最大值300
过渡频率（fT）：1GHz
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
TDF10M是一款专为高频应用设计的晶体管，具有以下特点：
1. 高增益性能，能够在高频段保持稳定的信号放大能力。
2. 较低的噪声水平，非常适合于低电平信号的处理。
3. 工作频率范围广，能够支持从音频到射频的多种应用场景。
4. 封装紧凑，适合用于空间受限的电路板设计。
5. 良好的热稳定性，确保在极端温度环境下依然可以正常工作。
TDF10M晶体管适用于以下领域：
1. 射频前端模块中的信号放大与混频。
2. 无线通信系统中的本地振荡器和倍频器。
3. 广播接收机中的高增益前置放大器。
4. 测试测量仪器中的高频信号源。
5. 工业自动化设备中的高频驱动电路。
BFQ75N, MRF471, TDF11M
