您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TDF10M

TDF10M 发布时间 时间:2025/7/1 17:55:46 查看 阅读:28

TDF10M是一种高频、高增益的NPN型硅晶体三极管,广泛应用于射频放大、混频和振荡电路中。该型号具有较低的噪声系数和较高的电流增益,在高频条件下表现出色,适用于各种无线通信设备、广播接收机以及工业控制等场景。
  其封装形式通常为TO-18或SOT-23,体积小巧且易于安装,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):0.1A
  直流电流增益(hFE):最小值60,最大值300
  过渡频率(fT):1GHz
  功耗(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

TDF10M是一款专为高频应用设计的晶体管,具有以下特点:
  1. 高增益性能,能够在高频段保持稳定的信号放大能力。
  2. 较低的噪声水平,非常适合于低电平信号的处理。
  3. 工作频率范围广,能够支持从音频到射频的多种应用场景。
  4. 封装紧凑,适合用于空间受限的电路板设计。
  5. 良好的热稳定性,确保在极端温度环境下依然可以正常工作。

应用

TDF10M晶体管适用于以下领域:
  1. 射频前端模块中的信号放大与混频。
  2. 无线通信系统中的本地振荡器和倍频器。
  3. 广播接收机中的高增益前置放大器。
  4. 测试测量仪器中的高频信号源。
  5. 工业自动化设备中的高频驱动电路。

替代型号

BFQ75N, MRF471, TDF11M