时间：2025/4/29 10:00:15
阅读：21
TDE1897RFP是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造的功耗，适用于多种电力电子转换和控制场景。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，支持高电流负载，并且在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。其封装形式通常为符合行业标准的小型化表面贴装类型，有助于简化电路板布局并提高系统可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
TDE1897RFP的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提升整体效率。
2. 超快速的开关能力，适合高频应用环境，例如DC-DC转换器和电机驱动。
3. 高度可靠的热设计，确保即使在极端条件下也能正常运行。
4. 小型化的封装，便于集成到紧凑型设计中，同时提供卓越的散热性能。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种工业和汽车级应用需求。
TDE1897RFP广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC转换器及降3. 电动工具、家用电器以及工业自动化设备中的电机驱动。
4. 汽车电子系统，如启动马达、逆变器和电池管理系统。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
TDE1897RFN, IRFZ44N, FDP5500
